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GRAPHENE AND METHOD FOR PRODUCING SAME コモンズ 新技術説明会

外国特許コード F130007260
整理番号 821-1315
掲載日 2013年4月3日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2013JP054466
国際公開番号 WO 2013/125669
国際出願日 平成25年2月22日(2013.2.22)
国際公開日 平成25年8月29日(2013.8.29)
優先権データ
  • 特願2012-038609 (2012.2.24) JP
発明の名称 (英語) GRAPHENE AND METHOD FOR PRODUCING SAME コモンズ 新技術説明会
発明の概要(英語)

First, in a first step (S101), a SiC substrate is arranged in an inert atmosphere. Next, in a second step (S102), graphene is formed on the surface of the SiC substrate by heating the SiC substrate in the inert atmosphere and evaporating the silicon on the surface of the SiC substrate. The second step (S102) is performed under production conditions such that the root-mean-square surface roughness of the surface of the formed graphene becomes 0.5 nm or less. Graphene with a surface having a root-mean-square surface roughness of 0.5 nm or less is in a single-layer state and has a high-quality crystal state in which the occurrence of crystal defects etc. is suppressed.

  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • THE UNIVERSITY OF TOKUSHIMA
  • 発明者(英語)
  • NAGASE,MASAO
国際特許分類(IPC)

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