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Clean unit

外国特許コード F130007262
掲載日 2013年4月4日
出願国 中華人民共和国
出願番号 200580030115
公報番号 101015068
公報番号 101015068
出願日 平成17年9月8日(2005.9.8)
公報発行日 平成19年8月8日(2007.8.8)
公報発行日 平成23年3月30日(2011.3.30)
優先権データ
  • 特願2004-262040 (2004.9.9) JP
  • 特願2004-375089 (2004.12.24) JP
発明の名称 (英語) Clean unit
発明の概要(英語)

Memory device is made based upon a structure comprising a lamination of at least two thin pieces each having a periodically laminated configuration of conductive layers (preferably metals) each having a thickness in the range from 0.2 nm to 60 nm, and dielectric layers, each having a thickness larger than the thickness of each the conductive layer, such that the layers cross each other and edges of the conductive layers are opposed to each other. The thickness of said conductive layer is preferably in the range from 0.2 nm to 30 nm, and the thickness of said dielectric is typically in the range from 2 nm to 200 mum. The recording medium is insulator layer or nano-bridge structure.

  • 出願人(英語)
  • UNIV HOKKAIDO
  • 発明者(英語)
  • ISHIBASHI AKIRA
国際特許分類(IPC)
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