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SOLID-STATE ELECTRONIC DEVICE

外国特許コード F130007375
整理番号 E086P41
掲載日 2013年5月30日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2012JP077623
国際公開番号 WO 2013/069470
国際出願日 平成24年10月25日(2012.10.25)
国際公開日 平成25年5月16日(2013.5.16)
優先権データ
  • 特願2011-245915 (2011.11.9) JP
発明の名称 (英語) SOLID-STATE ELECTRONIC DEVICE
発明の概要(英語)

One solid-state electronic device of the present invention is provided with an oxide layer that is formed by heating a precursor layer, which uses, as a starting material, a precursor solution that contains a precursor containing bismuth (Bi) and a precursor containing niobium (Nb) as solutes, in an oxygen-containing atmosphere, said oxide layer being formed of the bismuth (Bi) and the niobium (Nb). (In this connection, the oxide layer may contain unavoidable impurities.) The heating temperature for forming the oxide layer is from 520 DEG C to 650 DEG C (inclusive).

  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • SHIMODA, TATSUYA,
  • TOKUMITSU, EISUKE,
  • ONOUE, MASATOSHI,
  • MIYASAKO, TAKAAKI
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO SHIMODA Nano-Liquid Process AREA
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