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SOLID-STATE ELECTRONIC DEVICE

外国特許コード F130007376
整理番号 E086P42
掲載日 2013年5月30日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2012JP077624
国際公開番号 WO 2013/069471
国際出願日 平成24年10月25日(2012.10.25)
国際公開日 平成25年5月16日(2013.5.16)
優先権データ
  • 特願2011-245916 (2011.11.9) JP
発明の名称 (英語) SOLID-STATE ELECTRONIC DEVICE
発明の概要(英語)

One solid-state electronic device of the present invention is provided with an oxide layer which is formed of bismuth (Bi) and niobium (Nb) (and which may contain unavoidable impurities). The oxide layer has a crystal phase that has a pyrochlore crystal structure and/or a beta-BiNbO4 crystal structure, and the carbon content in the oxide layer is 1.5 atm% or less.

  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • SHIMODA, TATSUYA,
  • TOKUMITSU, EISUKE,
  • ONOUE, MASATOSHI,
  • MIYASAKO, TAKAAKI
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO SHIMODA Nano-Liquid Process AREA
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