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THIN-FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD FOR THIN-FILM TRANSISTOR

外国特許コード F130007387
整理番号 E086P43
掲載日 2013年6月5日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2012JP079609
国際公開番号 WO 2013/073601
国際出願日 平成24年11月15日(2012.11.15)
国際公開日 平成25年5月23日(2013.5.23)
優先権データ
  • 特願2011-252174 (2011.11.18) JP
発明の名称 (英語) THIN-FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD FOR THIN-FILM TRANSISTOR
発明の概要(英語)

One thin-film transistor (100) is provided with layered oxides (30), between a gate electrode (220) and a channel (40), comprising a layer (32) that is in contact with a gate electrode (20) and that comprises a first oxide (which may contain unavoidable impurities) containing bismuth (Bi) and niobium (Nb), and a layer (34) that is contact with the channel (40) and that comprises a second oxide (which may contain unavoidable impurities) which is one type selected from a group consisting of an oxide containing lanthanum (La) and tantalum (Ta), an oxide containing lanthanum (La) and zirconium (Zr), and an oxide containing strontium (Sr) and tantalum (Ta)

and the channel (40) is a channel oxide (which may contain unavoidable impurities) and comprises indium (In) and zinc (Zn).

  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • SHIMODA, TATSUYA,
  • MIYASAKO, TAKAAKI
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO 下田ナノ液体プロセス 領域
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