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SILICON SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

外国特許コード F130007449
掲載日 2013年7月4日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2012JP060044
国際公開番号 WO 2012/144420
国際出願日 平成24年4月12日(2012.4.12)
国際公開日 平成24年10月26日(2012.10.26)
優先権データ
  • 特願2011-096055 (2011.4.22) JP
発明の名称 (英語) SILICON SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME
発明の概要(英語)

This silicon solar cell reduces absorption loss in an n-type silicon layer and ZnO, or similar, which is a transparent electrode, and has increased photoelectric current and improved efficiency. A silicon solar cell is formed by forming, on a substrate, a cell layer having at least one unit cell formed from a p-type silicon layer, an i-type silicon layer and an n-type silicon layer, and forming an electrode layer on one surface of the substrate-side of the cell layer and forming a facing electrode on one surface of the cell layer which faces the substrate. The silicon solar cell is characterised in that: a sheet layer containing i-type microcrystalline Si:H is provided between the i-type silicon layer and the n-type silicon layer, said sheet layer having a film thickness of 1-500nm and a crystallinity of at least 40%

the n-type silicon layer contains n-type SixM1-x:H (M is O, N or C, 0<x<1), has a film thickness of 40-500nm, and a crystallinity of at least 10%.

  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY,
  • KONAGAI, MAKOTO
  • 発明者(英語)
  • KONAGAI, MAKOTO
国際特許分類(IPC)
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