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THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR

外国特許コード F130007556
整理番号 E086P46
掲載日 2013年7月16日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2012JP083082
国際公開番号 WO 2013/094688
国際出願日 平成24年12月20日(2012.12.20)
国際公開日 平成25年6月27日(2013.6.27)
優先権データ
  • 特願2011-281464 (2011.12.22) JP
発明の名称 (英語) THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THIN FILM TRANSISTOR
発明の概要(英語)

[Problem] To increase the performance of thin film transistors that use an oxide material for a gate dielectric layer, and to simplify and reduce the energy consumption of the process for fabricating such thin film transistors. [Solution] One thin film transistor (100) of the present invention is provided with a first oxide layer (32) (may contain unavoidable impurities) that is configured as follows: being provided between a gate electrode (20) and a channel (52)

comprising lanthanum (La) and tantalum (Ta)

and that has a surface (32a) that is formed after being exposed, in the form of a precursor layer which has as a starting material a precursor solution comprising a precursor containing lanthanum (La) and a precursor containing tantalum (Ta) as solutes, to hydrochloric acid steam. In addition, in this thin film transistor, the surface (32a) of the first oxide layer (32) is in contact with the channel (52).

  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY,
  • MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION,
  • MITSUBISHI MATERIALS ELECTRONIC CHEMICALS CO., LTD
  • 発明者(英語)
  • SHIMODA, TATSUYA,
  • TSUKADA, HIROKAZU,
  • MIYASAKO, TAKAAKI
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO SHIMODA Nano-Liquid Process AREA
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