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N-TYPE SEMICONDUCTOR COMPRISING AMORPHOUS SILICON CARBIDE DOPED WITH NITROGEN, AND PROCESS FOR PRODUCING N-TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT 新技術説明会

外国特許コード F130007572
掲載日 2013年7月19日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2012JP007029
国際公開番号 WO 2013/065315
国際出願日 平成24年11月1日(2012.11.1)
国際公開日 平成25年5月10日(2013.5.10)
優先権データ
  • 特願2011-241063 (2011.11.2) JP
発明の名称 (英語) N-TYPE SEMICONDUCTOR COMPRISING AMORPHOUS SILICON CARBIDE DOPED WITH NITROGEN, AND PROCESS FOR PRODUCING N-TYPE SEMICONDUCTOR ELEMENT 新技術説明会
発明の概要(英語)

The invention addresses the problem of providing an n-type semiconductor comprising silicon carbide, the n-type semiconductor being able to be formed at a low temperature as a film, having a wide band gap, and being able to be produced at low cost. The problem is solved with an n-type semiconductor which comprises an amorphous silicon carbide doped with nitrogen, characterized by comprising silicon, carbon, and nitrogen as effective components, the ratio of the number of silicon atoms to the number of carbon atoms being 1:(3-5) and the proportion of the number of nitrogen atoms to the total number of silicon and carbon atoms being 1-5%, and with a process for producing an n-type semiconductor element, characterized by using at least one silane compound selected from alkylsilane compounds and alkoxysilane compounds and a silazane compound as raw materials and forming an n-type semiconductor as a thin film on a substrate by a plasma-assisted CVD method.

  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • YAMAGUCHI UNIVERSITY
  • 発明者(英語)
  • HONDA, KENSUKE
国際特許分類(IPC)
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