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METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE

外国特許コード F130007594
整理番号 KG0002-US02
掲載日 2013年8月7日
出願国 アメリカ合衆国
出願番号 25064408
公報番号 20090038538
公報番号 07637998
出願日 平成20年10月14日(2008.10.14)
公報発行日 平成21年2月12日(2009.2.12)
公報発行日 平成21年12月29日(2009.12.29)
優先権データ
  • 20040479614 (2004.6.30) US
発明の名称 (英語) METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE
発明の概要(英語)

Single crystal SiC, having no fine grain boundaries, a micropipe defect density of 1/cm2 or less and a crystal terrace of 10 micrometer or more is obtained by a high-temperature liquid phase growth method using a very thin Si melt layer. The method does not require temperature difference control between the growing crystal surface and a raw material supply polycrystal and preparation of a doped single crystal SiC is possible.

  • 発明者/出願人(英語)
  • KANEKO TADAAKI
  • ASAOKA YASUSHI
  • SANO NAOKATSU
  • THE NEW INDUSTRY RESEARCH ORGANIZATION
  • KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION
国際特許分類(IPC)
米国特許分類/主・副
  • 117/11
  • 117/54
  • 117/63
  • 117/951
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