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LIGHT-EMITTING ELEMENT AND PRODUCTION METHOD THEREFOR 新技術説明会

外国特許コード F130007666
整理番号 S2012-0452-N0
掲載日 2013年10月17日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2013JP054702
国際公開番号 WO 2013/125719
国際出願日 平成25年2月25日(2013.2.25)
国際公開日 平成25年8月29日(2013.8.29)
優先権データ
  • 特願2012-037567 (2012.2.23) JP
発明の名称 (英語) LIGHT-EMITTING ELEMENT AND PRODUCTION METHOD THEREFOR 新技術説明会
発明の概要(英語)

ZnO is used in the present invention to inexpensively obtain a light-emitting element having a large area. A ZnO transparent conductive film (conductive layer) (12) is formed on a transparent substrate (11), after which an n-type ZnO thin film (n-type layer) (13) is formed on the ZnO transparent conductive film (12). A microparticle layer (14) that is a p-type layer is formed on the n-type ZnO thin film (13). By running electrical current between an n-side electrode (15) and a p-side electrode (16) as illustrated in the figures for this application, the light-emitting element (10) emits lights mainly from the microparticle layer (14). The microparticle layer (14) is formed by sintering a plurality of types of microparticles. The plurality of types of microparticles corresponds to microparticles that employ different materials as the main component thereof or microparticles for which the production conditions differ. At least one of the types of microparticles is a ZnO microparticle.

  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION SHIMANE UNIVERSITY
  • 発明者(英語)
  • FUJITA, YASUHISA
国際特許分類(IPC)
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