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SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT

外国特許コード F130007743
掲載日 2013年12月5日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2013JP001113
国際公開番号 WO 2013/128894
国際出願日 平成25年2月26日(2013.2.26)
国際公開日 平成25年9月6日(2013.9.6)
優先権データ
  • 特願2012-039483 (2012.2.27) JP
発明の名称 (英語) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
発明の概要(英語)

A semiconductor light-emitting element (10) is provided with a GaN layer (13), an InGaN layer (14) directly above the GaN layer (13), and a multiple quantum well layer (15) directly above the InGaN layer (14). Distortion of the InGaN layer (14) due to lattice mismatch with the GaN layer (13) is partially or completely relaxed.

  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • YAMAGUCHI UNIVERSITY
  • 発明者(英語)
  • TADATOMO, KAZUYUKI,
  • OKADA, NARIHITO
国際特許分類(IPC)

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