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NANODEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

外国特許コード F130007748
掲載日 2013年12月5日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2013JP055261
国際公開番号 WO 2013/129535
国際出願日 平成25年2月27日(2013.2.27)
国際公開日 平成25年9月6日(2013.9.6)
優先権データ
  • 特願2012-042588 (2012.2.28) JP
発明の名称 (英語) NANODEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME
発明の概要(英語)

Provided are: a nanodevice which is combined with electronic devices such as a diode, a tunnel element and a MOS transistor

an integrated circuit

and a nanodevice manufacturing method. The nanodevice is provided with: a first insulating layer (2)

one electrode (5A) and another electrode (5B) that are provided so as to comprise a nanogap on the first insulating layer (2)

a metal nanoparticle (7) or a functional molecule that is placed between the one electrode (5A) and the other electrode (5B)

and a second insulating layer (8) that is provided on the first insulating layer (2), the one electrode (5A) and the other electrode (5B), and that buries either the metal nanoparticle (7) or the functional molecule. The second insulating layer (8) functions as a passivation layer.

  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY,
  • MAJIMA YUTAKA,
  • TERANISHI TOSHIHARU,
  • MATSUMOTO KAZUHIKO,
  • MAEHASHI KENZO,
  • AZUMA YASUO,
  • OHNO YASUHIDE,
  • MAEDA KOSUKE,
  • GUILLAUME HUBERT FREDERIC HACKENBERGER
  • 発明者(英語)
  • MAJIMA YUTAKA,
  • TERANISHI TOSHIHARU,
  • MATSUMOTO KAZUHIKO,
  • MAEHASHI KENZO,
  • AZUMA YASUO,
  • OHNO YASUHIDE,
  • MAEDA KOSUKE,
  • GUILLAUME HUBERT FREDERIC HACKENBERGER
国際特許分類(IPC)
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