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CLUSTER JET PROCESSING METHOD, SEMICONDUCTOR ELEMENT, MICROELECTROMECHANICAL ELEMENT, AND OPTICAL COMPONENT

外国特許コード F140007845
整理番号 2258
掲載日 2014年2月25日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2009JP064131
国際公開番号 WO 2010021265
国際出願日 平成21年8月10日(2009.8.10)
国際公開日 平成22年2月25日(2010.2.25)
優先権データ
  • 特願2008-210140 (2008.8.18) JP
発明の名称 (英語) CLUSTER JET PROCESSING METHOD, SEMICONDUCTOR ELEMENT, MICROELECTROMECHANICAL ELEMENT, AND OPTICAL COMPONENT
発明の概要(英語) Disclosed is a method for processing a sample with an electrically neutral reactive cluster.  In this method, a mixed gas composed of a reactive gas and a gas having a boiling point lower than the reactive gas is jetted in such a pressure range that does not cause liquefaction of the gas with adiabatical expansion in a predetermined direction to produce a reactive cluster which is jetted against a sample within a vacuum treatment chamber to process the surface of the sample.
  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • Iwatani Corporation
  • Kyoto University
  • 発明者(英語)
  • KOIKE KUNIHIKO
  • SENOO TAKEHIKO
  • YOSHINO YU
  • AZUMA SHUHEI
  • MATSUO JIRO
  • SEKI TOSHIO
  • NINOMIYA SATOSHI
国際特許分類(IPC)
指定国 National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IS JP KE KG KM KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LT LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PE PG PH PL PT RO RS RU SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM
EPO: AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG
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