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MEASUREMENT METHOD AND MEASUREMENT DEVICE FOR ENERGY OF ELECTRONS EXCITED BY SUNLIGHT コモンズ 新技術説明会

外国特許コード F140007865
整理番号 NU-0531
掲載日 2014年4月30日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2013JP084497
国際公開番号 WO 2014104022
国際出願日 平成25年12月24日(2013.12.24)
国際公開日 平成26年7月3日(2014.7.3)
優先権データ
  • 特願2012-285579 (2012.12.27) JP
発明の名称 (英語) MEASUREMENT METHOD AND MEASUREMENT DEVICE FOR ENERGY OF ELECTRONS EXCITED BY SUNLIGHT コモンズ 新技術説明会
発明の概要(英語) [Problem] To provide a technique capable of measuring the energy of electrons excited by exposing a semiconductor material to sunlight. [Solution] A surface layer having a negative electron affinity is formed on the surface of a semiconductor material (92b). The semiconductor material is placed in a vacuum environment and exposed to sunlight (97), photoelectrons emitted from the surface layer having the negative electron affinity are guided to a photoelectron spectroscope (99), and the energy of electrons excited by the sunlight (97) is measured. Since the surface layer having the negative electron affinity is used, the photoelectrons are obtained from the electrons excited by the sunlight, and thereby energy measurement becomes possible.
  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • NAGOYA UNIVERSITY
  • 発明者(英語)
  • UJIHARA TORU
  • ICHIHASHI SHIRO
  • SHIMURA DAIKI
  • KUWAHARA MAKOTO
  • HARADA SHUNTA
国際特許分類(IPC)
指定国 National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BN BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IR IS JP KE KG KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LT LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PA PE PG PH PL PT QA RO RS RU RW SA SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TH TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LR LS MW MZ NA RW SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ RU TJ TM
EPO: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW KM ML MR NE SN TD TG
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