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ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS コモンズ

外国特許コード F140007877
整理番号 NU-0532
掲載日 2014年7月1日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2014JP001302
国際公開番号 WO 2014141664
国際出願日 平成26年3月7日(2014.3.7)
国際公開日 平成26年9月18日(2014.9.18)
優先権データ
  • 特願2013-047427 (2013.3.10) JP
発明の名称 (英語) ETCHING METHOD AND ETCHING APPARATUS コモンズ
発明の概要(英語) [Problem] To provide an etching method and etching apparatus that are capable of dry etching a Si crystal, or the like, using a gas which is easy to handle and can be obtained at a relatively low cost, without using a plasma generating device. [Solution] An etching apparatus (100) is for dry etching a Si member (S1). The etching apparatus (100) is provided with a reaction chamber (150) for etching the Si member (S1), a first gas supplying unit (111) for supplying a first gas including F2 gas to the reaction chamber (150), and a second gas supplying unit (112) for supplying a second gas including NO2 gas to the reaction chamber (150). In addition, etching is performed by making the internal pressure of the reaction chamber (150) within the range of 10 Pa to 10000 Pa and guiding a mixed gas of the first gas and the second gas to the Si member (S1).
  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • NAGOYA UNIVERSITY
  • 発明者(英語)
  • HAYASHI TOSHIO
  • TAJIMA SATOMI
  • ISHIKAWA KENJI
  • HORI MASARU
国際特許分類(IPC)
指定国 National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BN BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IR IS JP KE KG KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LT LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PA PE PG PH PL PT QA RO RS RU RW SA SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TH TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LR LS MW MZ NA RW SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ RU TJ TM
EPO: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW KM ML MR NE SN TD TG
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