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ION BEAM IRRADIATING APPARATUS, AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

外国特許コード F140007895
整理番号 1379
掲載日 2014年8月13日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2007JP062200
国際公開番号 WO 2007145355
国際出願日 平成19年6月12日(2007.6.12)
国際公開日 平成19年12月21日(2007.12.21)
優先権データ
  • 特願2006-162394 (2006.6.12) JP
発明の名称 (英語) ION BEAM IRRADIATING APPARATUS, AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
発明の概要(英語) An ion beam irradiating apparatus has a field emission electron source 10 which is disposed in a vicinity of a path of the ion beam 2, and which emits electrons 12. The field emission electron source 10 is placed in a direction along which an incident angle formed by the electrons 12 emitted from the electron source 10 and a direction parallel to the traveling direction of the ion beam 2 is in the range from -15 deg. to +45 deg. (an inward direction of the ion beam 2 is +, and an outward direction is -).
  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • KYOTO UNIVERSITY
  • NISSIN ION EQUIPMENT CO., LTD.
  • 発明者(英語)
  • ISHIKAWA JUNZO
  • NICOLAESCU DAN
  • GOTOH YASUHITO
  • SAKAI SHIGEKI
国際特許分類(IPC)
指定国 National States: AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BH BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IS KE KG KM KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LT LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RS RU SC SD SE SG SK SL SM SV SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM
EPO: AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU LV MC MT NL PL PT RO SE SI SK TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG
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