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Memory circuit provided with bistable circuit and non-volatile element

外国特許コード F140007930
整理番号 AF15-02TW
掲載日 2014年8月18日
出願国 台湾
出願番号 102117352
公報番号 201403596
公報番号 I508063
出願日 平成25年5月16日(2013.5.16)
公報発行日 平成26年1月16日(2014.1.16)
公報発行日 平成27年11月11日(2015.11.11)
優先権データ
  • 特願2012-114989 (2012.5.18) JP
発明の名称 (英語) Memory circuit provided with bistable circuit and non-volatile element
発明の概要(英語) A memory circuit is provided with: a bistable circuit for memorizing data; non-volatile elements in which the data memorized in the bistable circuit is stored in a non-volatile manner, and that restores the data stored in non-volatile manner in the bistable circuit; and a control unit.
When a period in which no reading or writing of data from the bistable circuit takes place is longer than a predetermined period, the control unit stores the data memorized in the bistable circuit in a non-volatile manner, and shuts down power supply to the bistable circuit.
When the period in which no reading or writing of data takes place is shorter than the predetermined period, the control unit makes a power supply voltage to the bistable circuit lower than a voltage for a period in which reading or writing of data from the bistable circuit takes place, without performing the non-volatile storing of the data memorized in the bistable circuit.
  • 出願人(英語)
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • SHUTO YUSUKE
  • YAMAMOTO SHUICHIRO
  • SUGAHARA SATOSHI
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST 次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究 領域
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