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Method for planarizing surface of germanium layer, and semiconductor structure and process for producing same

外国特許コード F140007987
整理番号 AF15-05TW
掲載日 2014年10月7日
出願国 台湾
出願番号 102115282
公報番号 201413784
出願日 平成25年4月29日(2013.4.29)
公報発行日 平成26年4月1日(2014.4.1)
優先権データ
  • 特願2012-217629 (2012.9.28) JP
発明の名称 (英語) Method for planarizing surface of germanium layer, and semiconductor structure and process for producing same
発明の概要(英語) A method for planarizing a surface of a germanium layer, the method including a step in which the surface of a germanium layer is heat-treated in a reducing-gas or inert-gas atmosphere at a temperature of 400-850 C.
Also provided is a process for producing a semiconductor structure, the process comprising a step in which a surface of a germanium layer is heat-treated in a reducing-gas or inert-gas atmosphere at a temperature of 400-850 C and a step in which a germanium oxide film is formed on the heat-treated surface of the germanium layer.
Furthermore provided is a semiconductor structure equipped with a germanium layer, the surface of which has an RMS for a 1 μm 1 μm area of 0.2 nm or less.
  • 出願人(英語)
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • TORIUMI AKIRA
  • NISHIMURA TOMONORI
国際特許分類(IPC)
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST Research of Innovative Material and Process for Creation of Next-generation Electronics Devices AREA
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