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SPIN POLARIZATION TRANSISTOR ELEMENT

外国特許コード F150008088
整理番号 K03510WO
掲載日 2015年1月23日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2013JP070217
国際公開番号 WO 2014027555
国際出願日 平成25年7月25日(2013.7.25)
国際公開日 平成26年2月20日(2014.2.20)
優先権データ
  • 特願2012-179763 (2012.8.14) JP
発明の名称 (英語) SPIN POLARIZATION TRANSISTOR ELEMENT
発明の概要(英語) In the present invention, there are provided: a source section comprising a ferromagnetic body magnetized in a first direction; a drain section provided parallel to and away from the source section, the drain section comprising a ferromagnetic body magnetized in the first direction; a channel section disposed between the source section and the drain section and coupled directly, or indirectly via a tunnel layer, to the source section and the drain section; and a circular polarized light irradiation section for irradiating, toward the channel section, a circular polarized light for controlling a spin orientation of the channel section.
  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • UNIVERSITY OF YORK
  • 発明者(英語)
  • HIROHATA ATSUFUMI
国際特許分類(IPC)
指定国 National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BN BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IS JP KE KG KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LT LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PA PE PG PH PL PT QA RO RS RU RW SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TH TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LR LS MW MZ NA RW SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ RU TJ TM
EPO: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW KM ML MR NE SN TD TG
参考情報 (研究プロジェクト等) PRESTO Nanosystem and function emergence AREA
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