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SEMICONDUCTOR STRUCTURE PROVIDED WITH ALUMINUM-NITRIDE-OXIDE FILM ON TOP OF GERMANIUM LAYER, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

外国特許コード F150008089
掲載日 2015年1月23日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2013JP056678
国際公開番号 WO 2014030371
国際出願日 平成25年3月11日(2013.3.11)
国際公開日 平成26年2月27日(2014.2.27)
優先権データ
  • 特願2012-185276 (2012.8.24) JP
発明の名称 (英語) SEMICONDUCTOR STRUCTURE PROVIDED WITH ALUMINUM-NITRIDE-OXIDE FILM ON TOP OF GERMANIUM LAYER, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
発明の概要(英語) A semiconductor structure provided with a germanium layer (30) and an aluminum-nitride-oxide film (32) formed on top of said germanium layer. The EOT of said aluminum-nitride-oxide film is less than or equal to 2 nm. Letting Cit represent the capacitance, at a frequency of 1 MHz, between the germanium layer and a gold metal film formed on top of the aluminum-nitride-oxide film when a voltage of 0.5 V relative to the germanium layer is applied to the metal film on an inversion-region side and letting Cacc represent the capacitance between the germanium layer and the metal film in an accumulation region, Cit/Cacc is less than or equal to 0.4.
  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • TORIUMI AKIRA
  • TABATA TOSHIYUKI
国際特許分類(IPC)
指定国 National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BN BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IS JP KE KG KM KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LT LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PA PE PG PH PL PT QA RO RS RU RW SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TH TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LR LS MW MZ NA RW SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ RU TJ TM
EPO: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG
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