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SEMICONDUCTOR STRUCTURE PROVIDED WITH GERMANIUM-OXIDE-CONTAINING FILM ON TOP OF GERMANIUM LAYER, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

外国特許コード F150008090
掲載日 2015年1月23日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2013JP061542
国際公開番号 WO 2014030389
国際出願日 平成25年4月18日(2013.4.18)
国際公開日 平成26年2月27日(2014.2.27)
優先権データ
  • 特願2012-185277 (2012.8.24) JP
発明の名称 (英語) SEMICONDUCTOR STRUCTURE PROVIDED WITH GERMANIUM-OXIDE-CONTAINING FILM ON TOP OF GERMANIUM LAYER, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
発明の概要(英語) A semiconductor structure provided with a germanium layer (30) and an insulating film that contains the following: a germanium-oxide-containing film (32) formed on top of the germanium layer; and a high-dielectric-oxide film (34) that is formed on top of the germanium-oxide-containing film and has a higher relative permittivity than silicon oxide. The EOT of the insulating film is less than or equal to 2 nm, and if a voltage relative to the germanium layer of 1 V over the flat-band voltage is applied to an accumulation-region side of a gold metal film formed on top of the insulating film, the leakage current is less than or equal to 10-5×EOT+4 A/cm2.
  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • TORIUMI AKIRA
  • LEE CHOONG-HYUN
国際特許分類(IPC)
指定国 National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BN BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IS JP KE KG KM KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LT LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PA PE PG PH PL PT QA RO RS RU RW SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TH TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LR LS MW MZ NA RW SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ RU TJ TM
EPO: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG
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