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METHOD FOR PLANARIZING SURFACE OF GERMANIUM LAYER, AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND PROCESS FOR PRODUCING SAME

外国特許コード F150008096
掲載日 2015年1月26日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2013JP061543
国際公開番号 WO 2014050187
国際出願日 平成25年4月18日(2013.4.18)
国際公開日 平成26年4月3日(2014.4.3)
優先権データ
  • 特願2012-217629 (2012.9.28) JP
発明の名称 (英語) METHOD FOR PLANARIZING SURFACE OF GERMANIUM LAYER, AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND PROCESS FOR PRODUCING SAME
発明の概要(英語) A method for planarizing a surface of a germanium layer, the method including a step in which the surface of a germanium layer is heat-treated in a reducing-gas or inert-gas atmosphere at a temperature of 400-850ºC. Also provided is a process for producing a semiconductor structure, the process comprising a step in which a surface of a germanium layer is heat-treated in a reducing-gas or inert-gas atmosphere at a temperature of 400-850ºC and a step in which a germanium oxide film is formed on the heat-treated surface of the germanium layer. Furthermore provided is a semiconductor structure equipped with a germanium layer, the surface of which has an RMS for a 1 µm × 1 µm area of 0.2 nm or less.
  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • TORIUMI AKIRA
  • NISHIMURA TOMONORI
国際特許分類(IPC)
指定国 National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BN BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IS JP KE KG KM KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LT LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PA PE PG PH PL PT QA RO RS RU RW SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TH TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LR LS MW MZ NA RW SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ RU TJ TM
EPO: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG
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