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OXIDE LAYER AND PRODUCTION METHOD FOR OXIDE LAYER, AS WELL AS CAPACITOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM PROVIDED WITH OXIDE LAYER

外国特許コード F150008153
整理番号 E086P55WO
掲載日 2015年3月17日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2014JP050006
国際公開番号 WO 2014136463
国際出願日 平成26年1月6日(2014.1.6)
国際公開日 平成26年9月12日(2014.9.12)
優先権データ
  • 特願2013-046550 (2013.3.8) JP
発明の名称 (英語) OXIDE LAYER AND PRODUCTION METHOD FOR OXIDE LAYER, AS WELL AS CAPACITOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM PROVIDED WITH OXIDE LAYER
発明の概要(英語) One oxide layer (30) of the present invention is provided with an oxide layer comprising bismuth (Bi) and niobium (Nb) (and which may include unavoidable impurities). In addition, the oxide layer (30) has a crystal phase with a pyrochlore crystal structure. As a result, it is possible to obtain an oxide layer (30) which includes an oxide comprising bismuth (Bi) and niobium (Nb) and has a high permittivity which could not be obtained with conventional methods.
  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • SHIMODA TATSUYA
  • TOKUMITSU EISUKE
  • ONOUE MASATOSHI
  • MIYASAKO TAKAAKI
国際特許分類(IPC)
指定国 National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BN BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IR IS KE KG KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LT LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PA PE PG PH PL PT QA RO RS RU RW SA SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TH TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LR LS MW MZ NA RW SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ RU TJ TM
EPO: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW KM ML MR NE SN TD TG
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO SHIMODA Nano-Liquid Process AREA
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