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DIELECTRIC LAYER AND MANUFACTURING METHOD OF DIELECTRIC LAYER, AND SOLID-STATE ELECTRONIC DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SOLID-STATE ELECTRONIC DEVICE

外国特許コード F150008165
掲載日 2015年3月18日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2014JP056507
国際公開番号 WO 2014148336
国際出願日 平成26年3月12日(2014.3.12)
国際公開日 平成26年9月25日(2014.9.25)
優先権データ
  • 特願2013-059219 (2013.3.22) JP
発明の名称 (英語) DIELECTRIC LAYER AND MANUFACTURING METHOD OF DIELECTRIC LAYER, AND SOLID-STATE ELECTRONIC DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SOLID-STATE ELECTRONIC DEVICE
発明の概要(英語) [Problem] To provide a dielectric layer which keeps leak current low, has excellent flatness and has high relative permittivity. [Solution] This dielectric layer (30a) comprises a laminate oxide having: a first oxide layer (31) (which may contain unavoidable impurities) configured from an oxide comprising bismuth (Bi) and niobium (Nb) or an oxide comprising bismuth (Bi), zinc (Zn) and niobium (Nb); and a second oxide layer (32) configured from one oxide (which may contain unavoidable impurities) selected from the group consisting of an oxide comprising lanthanum (La) and tantalum (Ta), an oxide comprising lanthanum (La) and zirconium (Zr) and an oxide comprising strontium (Sr) and tantalum (Ta).
  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • SHIMODA TATSUYA
  • TOKUMITSU EISUKE
  • ONOUE MASATOSHI
  • MIYASAKO TAKAAKI
国際特許分類(IPC)
指定国 National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BN BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IR IS JP KE KG KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LT LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PA PE PG PH PL PT QA RO RS RU RW SA SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TH TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LR LS MW MZ NA RW SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ RU TJ TM
EPO: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW KM ML MR NE SN TD TG
参考情報 (研究プロジェクト等) ERATO SHIMODA Nano-Liquid Process AREA
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