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PROCESSED SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME

外国特許コード F150008187
掲載日 2015年3月23日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2014JP000897
国際公開番号 WO 2014136393
国際出願日 平成26年2月21日(2014.2.21)
国際公開日 平成26年9月12日(2014.9.12)
優先権データ
  • 特願2013-047176 (2013.3.8) JP
発明の名称 (英語) PROCESSED SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME
発明の概要(英語) A processed substrate (11), wherein the principal surface thereof is a c-plane, and a plurality of protrusions (12) disposed so as to constitute a regular triangular grid in plan view are formed on the surface of the substrate. The plurality of protrusions (12) are disposed such that the smallest angle among angles which three sides of a regular triangle in the regular triangular grid constituted by the plurality of protrusions form counterclockwise with the a-axis of GaN when GaN the principal surface of which is a c-plane has been crystal grown on the substrate becomes 10-50°.
  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • YAMAGUCHI UNIVERSITY
  • 発明者(英語)
  • OKADA NARIHITO
  • TADATOMO KAZUYUKI
国際特許分類(IPC)
指定国 National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BN BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IR IS JP KE KG KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LT LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PA PE PG PH PL PT QA RO RS RU RW SA SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TH TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LR LS MW MZ NA RW SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ RU TJ TM
EPO: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW KM ML MR NE SN TD TG

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