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METHOD FOR MANUFACTURING SILICON-CARBIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT

外国特許コード F150008270
整理番号 KG0119-WO01
掲載日 2015年4月2日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2014JP003048
国際公開番号 WO 2014199614
国際出願日 平成26年6月6日(2014.6.6)
国際公開日 平成26年12月18日(2014.12.18)
優先権データ
  • 特願2013-125018 (2013.6.13) JP
発明の名称 (英語) METHOD FOR MANUFACTURING SILICON-CARBIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT
発明の概要(英語) In this method for manufacturing a semiconductor element, a modified layer produced by subjecting a substrate (70) to mechanical polishing is removed by heating said substrate (70) in the presence of silicon vapor pressure. An epitaxial-layer formation step, an ion-implantation step, an ion-activation step, and a second removal step are then performed. In the second removal step, after the ion-activation step, macro-step bunching and ion-implantation-deficient parts of the surface of the substrate (70) are removed by heating the substrate (70) in the presence of silicon vapor pressure. After that, an electrode formation step in which electrodes are formed on the substrate (70) is performed.
  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION
  • 発明者(英語)
  • KANEKO TADAAKI
  • OHTANI NOBORU
  • HAGIWARA KENTA
国際特許分類(IPC)
指定国 National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BN BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IR IS KE KG KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LT LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PA PE PG PH PL PT QA RO RS RU RW SA SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TH TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LR LS MW MZ NA RW SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ RU TJ TM
EPO: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW KM ML MR NE SN TD TG
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