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METHOD FOR TREATING SURFACE OF SILICON-CARBIDE SUBSTRATE

外国特許コード F150008271
整理番号 KG0120-WO01
掲載日 2015年4月2日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2014JP003049
国際公開番号 WO 2014199615
国際出願日 平成26年6月6日(2014.6.6)
国際公開日 平成26年12月18日(2014.12.18)
優先権データ
  • 特願2013-125020 (2013.6.13) JP
発明の名称 (英語) METHOD FOR TREATING SURFACE OF SILICON-CARBIDE SUBSTRATE
発明の概要(英語) This method for treating the surface of a silicon-carbide substrate includes a first removal step in which a modified layer produced by subjecting the substrate (70) to mechanical polishing or chemical-mechanical polishing is removed by heating the substrate (70) in the presence of silicon vapor pressure. A second removal step in which macro-step bunching produced in an epitaxial layer (71) is removed by heating the substrate (70) in the presence of silicon vapor pressure may also be performed. The etching rate can be varied, and as such, the abovementioned modified layer can be removed quickly by using a high etching rate in the first removal step. Meanwhile, excessive removal of the epitaxial layer (71) can be prevented by using a comparatively low etching rate in the second removal step.
  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • KWANSEI GAKUIN EDUCATIONAL FOUNDATION
  • 発明者(英語)
  • KANEKO TADAAKI
  • OHTANI NOBORU
  • HAGIWARA KENTA
国際特許分類(IPC)
指定国 National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BN BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IR IS KE KG KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LT LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PA PE PG PH PL PT QA RO RS RU RW SA SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TH TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LR LS MW MZ NA RW SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ RU TJ TM
EPO: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW KM ML MR NE SN TD TG
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