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NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL, MANUFACTURING METHOD, AND MANUFACTURING APPARATUS

外国特許コード F150008384
掲載日 2015年7月13日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2014JP004655
国際公開番号 WO 2015037232
国際出願日 平成26年9月10日(2014.9.10)
国際公開日 平成27年3月19日(2015.3.19)
優先権データ
  • 特願2013-188805 (2013.9.11) JP
発明の名称 (英語) NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL, MANUFACTURING METHOD, AND MANUFACTURING APPARATUS
発明の概要(英語) Provided is a nitride semiconductor crystal, the diameter of the crystal being at least 4 inches, the curvature radius of warping thereof being at least 100 m, and the concentration of impurities in the crystal being 1×1017/cm3 or less. Also provided is: a method for manufacturing a nitride semiconductor crystal for which the growth temperature of a GaN crystal is at least 1200°C, the method provided with a step for preparing a substrate, a step for supplying trihalogenated gallium gas at a partial pressure of 9.0×10-3 atm or greater onto the substrate, and a step for growing a GaN crystal on the substrate in the –C axis direction; or a method for manufacturing a nitride semiconductor crystal for which the growth temperature of an AlN crystal is at least 1400°C, the method provided with a step for preparing a substrate, a step for supplying trihalogenated aluminum gas at a partial pressure of 9.0×10-3 atm or greater onto the substrate, and a step for growing an AlN crystal on the substrate in the –C axis direction.
  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • TOKYO UNIVERSITY OF AGRICULTURE AND TECHNOLOGY
  • 発明者(英語)
  • KOUKITU AKINORI
  • KUMAGAI YOSHINAO
  • MURAKAMI HISASHI
国際特許分類(IPC)
指定国 National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BN BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IR IS JP KE KG KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PA PE PG PH PL PT QA RO RS RU RW SA SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TH TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LR LS MW MZ NA RW SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ RU TJ TM
EPO: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW KM ML MR NE SN TD TG
※ 国立大学法人東京農工大学では、先端産学連携研究推進センターにおいて、知的財産の創出・権利化・活用に取り組んでいます。上記の特許・技術の内容および導入に興味・関心がありましたら、当センターまでお気軽にお問い合わせください。

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