TOP > 外国特許検索 > GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR NANOWIRE, FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND SWITCHING ELEMENT

GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR NANOWIRE, FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND SWITCHING ELEMENT 新技術説明会

外国特許コード F150008392
掲載日 2015年7月13日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2014JP005463
国際公開番号 WO 2015064094
国際出願日 平成26年10月29日(2014.10.29)
国際公開日 平成27年5月7日(2015.5.7)
優先権データ
  • 特願2013-226675 (2013.10.31) JP
発明の名称 (英語) GROUP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR NANOWIRE, FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND SWITCHING ELEMENT 新技術説明会
発明の概要(英語) The present invention pertains to a group III-V compound semiconductor nanowire able to be used in a group III-V compound semiconductor MOSFET (FET) operational at a small subthreshold (100 mV/dec or less). A side face of the group III-V compound semiconductor nanowire is a (‒110) plane constituted of a very small (111) plane. The group III-V compound semiconductor nanowire has, e.g., a first layer having a (111)A plane as a side face thereof, and a second layer having a (111)B plane as a side face thereof. The first layer and the second layer are stacked alternatingly in the axial direction.
  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • HOKKAIDO UNIVERSITY
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • FUKUI TAKASHI
  • TOMIOKA KATSUHIRO
国際特許分類(IPC)
指定国 National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BN BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IR IS JP KE KG KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PA PE PG PH PL PT QA RO RS RU RW SA SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TH TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LR LS MW MZ NA RW SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ RU TJ TM
EPO: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW KM ML MR NE SN TD TG
ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、下記までご連絡ください

PAGE TOP

close
close
close
close
close
close