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SEMICONDUCTOR STRUCTURE IN WHICH FILM INCLUDING GERMANIUM OXIDE IS PROVIDED ON GERMANIUM LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR STRUCTURE

外国特許コード F150008474
掲載日 2015年10月26日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2014JP065144
国際公開番号 WO 2015029535
国際出願日 平成26年6月6日(2014.6.6)
国際公開日 平成27年3月5日(2015.3.5)
優先権データ
  • 特願2013-179912 (2013.8.30) JP
  • 特願2013-195887 (2013.9.20) JP
発明の名称 (英語) SEMICONDUCTOR STRUCTURE IN WHICH FILM INCLUDING GERMANIUM OXIDE IS PROVIDED ON GERMANIUM LAYER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR STRUCTURE
発明の概要(英語) The present invention is a semiconductor structure provided with a germanium layer (30) and a first insulating film (32) formed on the germanium layer (30), the first insulating film (32) primarily containing germanium oxide and a substance having a lower oxygen potential than that of germanium oxide, the height frequency in 1 μm square of the upper surface of the germanium layer (30) having a half width of 0.7 nm or less.
  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • TORIUMI AKIRA
  • TABATA TOSHIYUKI
  • LEE CHOONG HYUN
  • NISHIMURA TOMONORI
  • LU CIMANG
国際特許分類(IPC)
指定国 National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BN BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IR IS JP KE KG KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LT LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PA PE PG PH PL PT QA RO RS RU RW SA SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TH TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LR LS MW MZ NA RW SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ RU TJ TM
EPO: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW KM ML MR NE SN TD TG
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST Research of Innovative Material and Process for Creation of Next-generation Electronics Devices AREA
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