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SEMICONDUCTOR ELEMENT

外国特許コード F150008497
掲載日 2015年10月28日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2014JP004418
国際公開番号 WO 2015029434
国際出願日 平成26年8月28日(2014.8.28)
国際公開日 平成27年3月5日(2015.3.5)
優先権データ
  • 特願2013-179984 (2013.8.30) JP
発明の名称 (英語) SEMICONDUCTOR ELEMENT
発明の概要(英語) A transistor (1a) is provided with a substrate (2a), a first insulating layer (3a), a nitride semiconductor layer (4a), a second insulating layer (5a), a source electrode (61), a drain electrode (62), and a gate electrode (63). The first insulating layer (3a) has functions as a base layer of the nitride semiconductor layer (4a), and is, for instance, an HfO2 layer having a thickness of approximately 1-20 nm. The nitride semiconductor layer (4a) is an InN layer that is provided on the substrate (2a), and is a polycrystalline or amorphous film having a film thickness of 1-10 nm. The InN layer having a film thickness within the range exhibits electrical characteristics equivalent to those of a single crystal, even if the layer is a polycrystalline or amorphous film. Consequently, constraints in manufacturing conditions are greatly eliminated, and a semiconductor element that is provided with an InN layer as a channel is provided, said InN layer being low-cost and having excellent electrical characteristics.
  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
  • 発明者(英語)
  • FUJIOKA HIROSHI
  • KOBAYASHI ATSUSHI
国際特許分類(IPC)
指定国 National States: AE AG AL AM AO AT AU AZ BA BB BG BH BN BR BW BY BZ CA CH CL CN CO CR CU CZ DE DK DM DO DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM GT HN HR HU ID IL IN IR IS JP KE KG KN KP KR KZ LA LC LK LR LS LT LU LY MA MD ME MG MK MN MW MX MY MZ NA NG NI NO NZ OM PA PE PG PH PL PT QA RO RS RU RW SA SC SD SE SG SK SL SM ST SV SY TH TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN ZA ZM ZW
ARIPO: BW GH GM KE LR LS MW MZ NA RW SD SL SZ TZ UG ZM ZW
EAPO: AM AZ BY KG KZ RU TJ TM
EPO: AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
OAPI: BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW KM ML MR NE SN TD TG
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST Creation of Nanosystems with Novel Functions through Process Integration AREA
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