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FERROMAGNETIC DOUBLE QUANTUM WELL TUNNEL MAGNETO-RESISTANCE DEVICE

外国特許コード F040000906
整理番号 F040000906
掲載日 2005年4月25日
出願国 世界知的所有権機関(WIPO)
国際出願番号 2000JP001476
国際公開番号 WO 2001/004970
国際出願日 平成12年3月10日(2000.3.10)
国際公開日 平成13年1月18日(2001.1.18)
優先権データ
  • 特願平11-196724 (1999.7.9) JP
  • 特願2000-022691 (2000.1.31) JP
発明の名称 (英語) FERROMAGNETIC DOUBLE QUANTUM WELL TUNNEL MAGNETO-RESISTANCE DEVICE
発明の概要(英語) A ferromagnetic double quantum well tunnel magneto-resistance device which can obtain an infinite tunnel magneto-resistance ratio with a required bias voltage by utilizing a 2-dimensional electron (positive hole) system, a high sensitivity sensor utilizing the device and a nonvolatile memory device utilizing the device. A ferromagnetic 1st quantum well layer (4) and a ferromagnetic 2nd quantum well layer (8) in which carrier quanta are confined in 2-dimensional electron (positive hole) states are held between nonmagnetic barrier layers (2, 6 and 10) through which tunneling is enabled. By providing a difference in coercive force between the 1st quantum well layer (4) and the 2nd quantum well layer (8), magnetization of only one of the quantum wells is reversed by external magnetic field. When the magnetization directions of the two quantum wells are in parallel with each other, the tunneling is enabled and, when the magnetization directions of the two quantum wells are in reverse-parallel with each other, the tunneling is prohibited, so that the infinite tunnel magneto-resistance ratio can be obtained.
  • 出願人(英語)
  • ※2012年7月以前掲載分については米国以外のすべての指定国
  • Japan Science And Technology Corporation
  • 発明者(英語)
  • Tanaka,Masaaki
  • Hayashi,Toshiaki
国際特許分類(IPC)
指定国 US AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE
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