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一種のイリジウムキラル触媒によって3-アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加する方法

国内特許コード P150011709
掲載日 2015年3月30日
出願番号 特願2012-162232
公開番号 特開2013-035837
出願日 平成24年7月23日(2012.7.23)
公開日 平成25年2月21日(2013.2.21)
優先権データ
  • 201110229873.6 (2011.8.8) CN
発明者
  • 張 万斌
  • 劉 媛媛
  • 姚 冬梅
  • 李 昆
  • 謝 芳
出願人
  • 日本化学工業株式会社
  • 上海交通大学
発明の名称 一種のイリジウムキラル触媒によって3-アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加する方法
発明の概要 【課題】条件が穏和で、操作が簡便で、反応収率及び反応効率が良好で、応用効果がよいイリジウムキラル触媒によって3-アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加する方法を提供すること。
【解決手段】溶媒中、水素ガス雰囲気中において、イリジウムキラル触媒の存在下にて、一般式(1)で表される3-アルケニレン置換インドロンを水素添加して、一般式(2)で表されるC3位モノ置換キラルインドロンとする。式中、R1は、水素原子、フッ素原子又はメチル基を表し、R2は、置換基を有するか若しくは有さないアリール基、又は置換基を有するか若しくは有さない炭素数1~8のアルキル基を表す。L*はキラル配位子を表し、CODはシクロオクタジエンを表し、Xはアニオンを表す。




【選択図】なし
従来技術、競合技術の概要



インドール及びその類似体は、各種のインドールアルカロイドの骨格と官能基の多様性、及び高度な生物活性と独特な薬理活性を有するため、これに惹かれて代々の化学者が長年にわたってその構造修飾及び全合成に対して研究し続けている。多くのインドール誘導体の中で、C3位にキラル炭素中心を有するインドロン系構造は多くの生物活性化合物及び天然産物を合成する重要な構造単位である。例えば、薬剤耐性を有する腫瘍を治療する有効な薬剤であるN-MethylwelwitindolinoneC Isptjopcuamateなどである。





従来技術文献の検索によれば、C3位モノ置換インドロンのキラル合成に関する報告は少ないことが分かる。Dennis P. Curranらは非特許文献1に「Transfer of Chirality in Radical Cyclizations. Cyclization of o-Haloacrylanilides to Oxindoles with Transfer of Axial Chirality to a Newly Formed Stereocenter」(ラジカル環化におけるキラリティーの転移 新たに生成した立体中心への軸性キラリティーの転移を伴ったオキシインドールへのo-ハロアクリルアニリドの環化)を発表した。この非特許文献1において、軸不斉が環化反応によって転移されてC3位モノ置換キラルインドロン系物質を得ることが初めて報告された。しかし、今迄、C3位モノ置換キラルインドロン系化合物の不斉合成に関する例は少なく、特に不斉接触水素添加によって該類化合物を得ることは報告されていなかった。

産業上の利用分野



本発明は、ケミカルテクノロジー分野の方法、具体的には、イリジウム触媒で3-アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加する方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
溶媒中、水素ガス雰囲気中において、イリジウムキラル触媒の存在下で、一般式(1)で表される3-アルケニレン置換インドロンを水素添加して、一般式(2)で表されるC3位モノ置換キラルインドロンとし
【化1】


[一般式(1)及び(2)において、R1は、水素原子、フッ素原子又はメチル基を表し、R2は、置換基を有するか若しくは有さないアリール基、又は置換基を有するか若しくは有さない炭素数1~8のアルキル基を表す。]、
前記イリジウムキラル触媒が、イリジウム、シクロオクタジエン及びキラル配位子からなる配位化合物とアニオンとからなるイオン化合物である、イリジウムキラル触媒によって3-アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加する方法。

【請求項2】
前記イリジウムキラル触媒中のキラル配位子が、下記のL1~L9から選択されるいずれか1種の配位子であり、配位子L1~L9の構造式が下記の通りである、請求項1に記載のイリジウムキラル触媒によって3-アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加する方法。
【化2】



【請求項3】
前記イリジウムキラル触媒中のアニオンが、塩素イオン、ヘキサフルオロホスフェート及びテトラキス(3,5-ビス(トリフルオロメチル)フェニル)ボレートのうちのいずれか1種である、請求項1又は2に記載のイリジウムキラル触媒によって3-アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加する方法。

【請求項4】
前記一般式(1)で表される3-アルケニレン置換インドロンが前記溶媒に溶解させ、かつ、該溶媒が、非極性溶媒、極性溶媒又はプロトン性溶媒である、請求項1ないし3のいずれか一項に記載のイリジウムキラル触媒によって3-アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加する方法。

【請求項5】
前記溶媒が、トルエン、トリフルオロトルエン、ジクロロメタン、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン又はメタノールである、請求項4に記載のイリジウムキラル触媒によって3-アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加する方法。

【請求項6】
一般式(1)及び(2)において、R2が、メチル基、エチル基、イソプロピル基、n-ブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、4-メチルフェニル基、3-メチルフェニル基、2-メチルフェニル基、4-メトキシフェニル基、4-トリフルオロメチルフェニル基、1-ナフチル基から選択されるいずれか1種を表す、請求項1ないし5のいずれか一項に記載のイリジウムキラル触媒によって3-アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加する方法。

【請求項7】
前記水素ガス雰囲気の水素ガスの圧力が10~50barである、請求項1ないし6のいずれか一項に記載のイリジウムキラル触媒によって3-アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加方法。

【請求項8】
前記イリジウムキラル触媒と前記一般式(1)で表される3-アルケニレン置換インドロンとのモル比が、イリジウムキラル触媒:一般式(1)で表される3-アルケニレン置換インドロン=1:20~1000である、請求項1ないし7のいずれか一項に記載のイリジウムキラル触媒によって3-アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加する方法。

【請求項9】
反応温度が-10℃~40℃であり、反応時間が1~72時間である、請求項1ないし8のいずれか一項に記載のイリジウムキラル触媒によって3-アルケニレン置換インドロンを不斉水素添加する方法。

【請求項10】
溶媒中、水素ガス雰囲気中において、イリジウムキラル触媒の存在下で、一般式(1)で表される3-アルケニレン置換インドロンを水素添加して、一般式(2)で表されるC3位モノ置換キラルインドロンを製造する方法であって、
【化3】


[一般式(1)及び(2)において、R1は、水素原子、フッ素原子又はメチル基を表し、R2は、置換基を有するか若しくは有さないアリール基、又は置換基を有するか若しくは有さない炭素数1~8のアルキル基を表す。]、
前記イリジウムキラル触媒が、イリジウム、シクロオクタジエン及びキラル配位子からなる配位化合物とアニオンとからなるイオン化合物である、C3位モノ置換キラルインドロンの製造方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
出願権利状態 公開
分野
  • 化学;冶金
  • 処理操作;運輸
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