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インデン誘導体の製造方法。 コモンズ

国内特許コード P05P002348
整理番号 B45P05
掲載日 2005年9月22日
出願番号 特願2004-057577
公開番号 特開2005-247717
登録番号 特許第4695843号
出願日 平成16年3月2日(2004.3.2)
公開日 平成17年9月15日(2005.9.15)
登録日 平成23年3月4日(2011.3.4)
発明者
  • 高橋 保
  • 席 振峰
  • 孔 凡志
出願人
  • 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 インデン誘導体の製造方法。 コモンズ
発明の概要 【課題】
所望の非対称な置換基を選択的に導入できるインデン誘導体の製造方法の提供。
【解決手段】
有機金属化合物(2)に還元剤を反応させて得られた第1の反応混合物に、下記式(3a)及び(3b)で示されるアセチレン誘導体を反応させ、次いで、反応混合物に空気に接触させる、下記式(1)で示されるインデン誘導体の製造方法により上記課題を解決する。
【化1】



[式中、R1、R2、R3、R4、A1及びA2は、それぞれ、同一又は異なって、炭化水素基等を表す。X1及びX2は脱離基を示し、Lは配位子、Mは遷移金属を示す。]
【選択図】なし

従来技術、競合技術の概要


インデン誘導体は、触媒の配位子の合成や医薬・農薬合成の中間体として有用であり、選択的に置換基を導入することにより、その機能、物性を制御することができる。このため、所望の置換基を導入したインデン誘導体の製造法が所望されていた。



従来、置換基を有するインデン誘導体の製造方法として、少なくともひとつの置換シクロペンタジエニル基を配位子として持つメタロセンとアセチレン誘導体を反応させて得られるメタラシクロペンタジエン誘導体に、金属化合物を反応させる手法が知られていた(特許文献1:特開2001-233805号公報)。この方法によれば、アセチレン誘導体の有する置換基がインデン誘導体の6員環部分に導入され、配位子である置換シクロペンタジエニル基の有する置換基がインデン誘導体の5員環部分に導入されることになる。当該方法で、収率を上げるためには、両端に同一の置換基を有する対称なアセチレン誘導体と対称な置換シクロペンタジエニル配位子を用いる必要があり、この結果、得られるインデン誘導体は置換基を対称に有するものに限られてしまい、5員環部分と6員環部分にそれぞれ非対称に置換基を導入したインデン誘導体を選択的に得ることができなかった。
【特許文献1】
特開2001-233805号公報

産業上の利用分野


本発明は、インデン誘導体の製造方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
下記式(1)で示されるインデン誘導体の製造方法であって、
【化1】


[式中、R1、R2、R3、R4、A1及びA2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子又はC1~C20炭化水素基である。]
下記式(2)で示される有機金属化合物に還元剤を反応させ、第1の反応混合物を得る工程と、
【化2】


[式中、A1及びA2は、上記と同義である。
Mは、チタンを示し、
Lは、シクロペンタジエニル基、メチルシクロペンタジエニル基、エチルシクロペンタジエニル基、イソプロピルシクロペンタジエニル基、n-ブチルシクロペンタジエニル基、t-ブチルシクロペンタジエニル基、ジメチルシクロペンタジエニル基、ジエチルシクロペンタジエニル基、ジイソプロピルシクロペンタジエニル基、ジ-t-ブチルシクロペンタジエニル基、テトラメチルシクロペンタジエニル基、インデニル基、2-メチルインデニル基、2-メチル-4-フェニルインデニル基、テトラヒドロインデニル基、ベンゾインデニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、テトラヒドロフルオレニル基、オクタヒドロフルオレニル基及びアズレニル基からなる群から選ばれる非局在化環状η5-配位系配位子を示す。
1及びX2は、ハロゲン原子である。]
得られた第1の反応混合物に、下記式(3a)で示されるアセチレン誘導体、及び
【化3】


[式中、R1及びR2は、上記と同義である。]
下記式(3b)で示されるアセチレン誘導体
【化4】


[式中、R3及びR4は、上記と同義である。]
を反応させ、第2の反応混合物を得る工程と、
得られた第2の反応混合物に酸化剤を反応させる工程とを含むことを特徴とするインデン誘導体の製造方法。

【請求項2】
1、R2、R3及びR4が、C1~C20炭化水素基である、請求項に記載のインデン誘導体の製造方法。

【請求項3】
1及びA2が、水素原子である、請求項1又は2に記載のインデン誘導体の製造方法。

【請求項4】
前記酸化剤が空気である、請求項1~のいずれかに記載のインデン誘導体の製造方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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出願権利状態 登録
参考情報 (研究プロジェクト等) SORST 平成15年度採択課題
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