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ホスファフェロセン誘導体及びその製造方法。 コモンズ

国内特許コード P05P002369
整理番号 B045P04
掲載日 2005年10月4日
出願番号 特願2004-067008
公開番号 特開2005-255576
登録番号 特許第4448349号
出願日 平成16年3月10日(2004.3.10)
公開日 平成17年9月22日(2005.9.22)
登録日 平成22年1月29日(2010.1.29)
発明者
  • 高橋 保
  • 小笠原 正道
出願人
  • 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 ホスファフェロセン誘導体及びその製造方法。 コモンズ
発明の概要 【課題】 アセン類を持つフェロセン誘導体の提供、及び所望の置換基を導入することができる手法の提供。
【解決手段】 メタラシクロペンタジエン誘導体(2a)とホスフィン(3)とを反応させて中間体(4a)を得、これと還元剤とを反応させ反応混合物を得、次いで、得られた反応混合物と鉄塩を反応させ、ホスファフェロセン誘導体(1a)を得る。
【化1】



[式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6及びAは、それぞれ、同一又は異なって、炭化水素基等を表す。X1及びX2は脱離基を示し、L1及びL2は配位子、Mは遷移金属を示す。]
【選択図】 なし
従来技術、競合技術の概要


フェロセン誘導体は有機機能性材料として有用であり、また、2つのアセンがコミュニケーションする新しい機能を持つ材料となる可能性が期待されている。一方、ナフタレン、アントラセン、ナフタセン等のポリアセンも共役系高分子であるため、有機機能性材料として有用であることが知られている。

産業上の利用分野


本発明は、ホスファフェロセン誘導体及びその製造方法に関し、より詳しくはアセン部分を含むホスファフェロセン誘導体及びその製造方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
下記式(1a)で示されるホスファフェロセン誘導体。
【化1】


[式中、R1、R2、R3、R4、R5及びR6は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、1~C20アルキル基である。

【請求項2】
1、R2、R3、R4、R5及びR6が、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、C1~C10アルキル基である、請求項1に記載のホスファフェロセン誘導体。

【請求項3】
下記式(1a)で示されるホスファフェロセン誘導体の製造方法であって、
【化2】


[式中、R1、R2、R3、R4、R5及びR6は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、1~C20アルキル基である。
下記式(2a)で示されるメタラシクロペンタジエン誘導体と、
【化3】


[式中、R1、R2、R3、R4、R5及びR6は、上記の意味を有する。
Mは、遷移金属を示し、
1及びL2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、アニオン性配位子を示す。但し、L1及びL2は、架橋されていてもよい。]
下記式(3)で示されるホスフィンと
【化4】


[式中、Aは、ハロゲン原子又はC6~C12アリール基であり、
1及びX2は、脱離基を示す。]
を反応させ、下記式(4a)で示される中間体を得る工程と、
【化5】


[式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6及びAは、上記の意味を有する。]
前記式(4a)で示される中間体と還元剤とを反応させ、反応混合物を得る工程と、
前記反応混合物と鉄塩を反応させる工程とを含むことを特徴とするホスファフェロセン誘導体の製造方法。

【請求項4】
前記鉄塩が、塩化鉄である、請求項4に記載のホスファフェロセン誘導体の製造方法。

【請求項5】
Mが、周期表第4族から第6族の遷移金属である、請求項又はに記載のホスファフェロセン誘導体の製造方法。

【請求項6】
Mが、ジルコニウムである、請求項のいずれかに記載のホスファフェロセン誘導体の製造方法。

【請求項7】
前記アニオン性配位子が、非局在化環状η5-配位系配位子であって、メチルシクロペンタジエニル基、エチルシクロペンタジエニル基、イソプロピルシクロペンタジエニル基、n-ブチルシクロペンタジエニル基、t-ブチルシクロペンタジエニル基、ジメチルシクロペンタジエニル基、ジエチルシクロペンタジエニル基、ジイソプロピルシクロペンタジエニル基、ジ-t-ブチルシクロペンタジエニル基、テトラメチルシクロペンタジエニル基、インデニル基、2-メチルインデニル基、2-メチル-4-フェニルインデニル基、テトラヒドロインデニル基、ベンゾインデニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、テトラヒドロフルオレニル基、オクタヒドロフルオレニル基及びアズレニル基からなる群から選ばれるものである、請求項のいずれかに記載のホスファフェロセン誘導体の製造方法。

【請求項8】
1及びX2が、ハロゲン原子である、請求項のいずれかに記載のホスファフェロセン誘導体の製造方法。

【請求項9】
1、R2、R3、R4、R5及びR6が、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、C1~C10アルキル基である、請求項のいずれかに記載のホスファフェロセン誘導体の製造方法。

【請求項10】
前記還元剤が、リチウム、マグネシウム、カリウム又はナトリウムである、請求項のいずれかに記載のホスファフェロセン誘導体の製造方法。

【請求項11】
下記式(1b)で示されるホスファフェロセン誘導体。
【化6】


[式中、R1、R2a、R2b、R3、R4、R5a、R5b及びR6は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、1~C20アルキル基であり、nは1以上の整数である。]

【請求項12】
1、R2a、R2b、R3、R4、R5a、R5b及びR6が、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、C1~C10アルキル基である、請求項11に記載のホスファフェロセン誘導体。

【請求項13】
下記式(1b)で示されるホスファフェロセン誘導体の製造方法であって、
【化7】


[式中、R1、R2a、R2b、R3、R4、R5a、R5b及びR6は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、1~C20アルキル基であり、nは1以上の整数を示す。]
下記式(2b)で示されるメタラシクロペンタジエン誘導体と、
【化8】


[式中、R1、R2a、R2b、R3、R4、R5a、R5b、R6及びnは、上記の意味を有する。
Mは、遷移金属を示し、
1及びL2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、アニオン性配位子を示す。但し、L1及びL2は、架橋されていてもよい。]
下記式(3)で示されるホスフィンと
【化9】


[式中、Aは、ハロゲン原子又はC6~C12アリール基であり、
1及びX2は、脱離基を示す。]
を反応させ、下記式(4b)で示される中間体を得る工程と、
【化10】


[式中、R1、R2a、R2b、R3、R4、R5a、R5b、R6、A及びnは、上記の意味を有する。]
前記式(4b)で示される中間体と還元剤とを反応させ、反応混合物を得る工程と、前記反応混合物と鉄塩を反応させる工程とを含むことを特徴とするホスファフェロセン誘導体の製造方法。

【請求項14】
前記鉄塩が、塩化鉄である、請求項13に記載のホスファフェロセン誘導体の製造方法。

【請求項15】
Mが、周期表第4族から第6族の遷移金属である、請求項13又は14に記載のホスファフェロセン誘導体の製造方法。

【請求項16】
Mが、ジルコニウムである、請求項1315のいずれかに記載のホスファフェロセン誘導体の製造方法。

【請求項17】
前記アニオン性配位子が、非局在化環状η5-配位系配位子であって、メチルシクロペンタジエニル基、エチルシクロペンタジエニル基、イソプロピルシクロペンタジエニル基、n-ブチルシクロペンタジエニル基、t-ブチルシクロペンタジエニル基、ジメチルシクロペンタジエニル基、ジエチルシクロペンタジエニル基、ジイソプロピルシクロペンタジエニル基、ジ-t-ブチルシクロペンタジエニル基、テトラメチルシクロペンタジエニル基、インデニル基、2-メチルインデニル基、2-メチル-4-フェニルインデニル基、テトラヒドロインデニル基、ベンゾインデニル基、フルオレニル基、ベンゾフルオレニル基、テトラヒドロフルオレニル基、オクタヒドロフルオレニル基及びアズレニル基からなる群から選ばれるものである、請求項1316のいずれかに記載のホスファフェロセン誘導体の製造方法。

【請求項18】
1及びX2が、ハロゲン原子である、請求項1317のいずれかに記載のホスファフェロセン誘導体の製造方法。

【請求項19】
1、R2a、R2b、R3、R4、R5a、R5b及びR6が、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、C1~C10アルキル基である、請求項1318のいずれかに記載のホスファフェロセン誘導体の製造方法。

【請求項20】
前記還元剤が、リチウム、マグネシウム、カリウム又はナトリウムである、請求項1319のいずれかに記載のホスファフェロセン誘導体の製造方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
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出願権利状態 登録
参考情報 (研究プロジェクト等) SORST 平成15年度採択課題
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