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箔及びその製造方法 コモンズ

国内特許コード P06P003088
整理番号 N071P31
掲載日 2006年5月26日
出願番号 特願2004-317216
公開番号 特開2006-124805
登録番号 特許第4605361号
出願日 平成16年10月29日(2004.10.29)
公開日 平成18年5月18日(2006.5.18)
登録日 平成22年10月15日(2010.10.15)
発明者
  • 益田 秀樹
  • 西尾 和之
  • 福島 達郎
出願人
  • 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 箔及びその製造方法 コモンズ
発明の概要 【課題】 電解コンデンサ用電極等に用いられる箔のピット形成位置を高密度に配列させ、単位体積当たりの拡面率の大きい、箔及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 箔2に、インクジェット方式の印刷機を用いて箔2表面にマスクパターンを印刷し、マスクパターンの開口部に露出する箔2をエッチングし、箔にピット4を形成することにより、箔2に拡面処理を施す。この拡面処理された箔1を電解コンデンサ用電極箔1に適用すれば、拡面率が大きく、かつ、機械強度が強いので、大容量の電解コンデンサを小型にすることができる。
【選択図】 図2
従来技術、競合技術の概要


電解コンデンサ用電極に用いるアルミニウム箔は、静電容量を増大する目的で電気化学エッチング、あるいは化学エッチングによる電極表面積の拡大処理、即ち拡面処理が施される。アルミニウム箔の最も効率的な拡面処理を実現するためには、電解エッチングや、化学エッチングによってアルミニウム箔表面から内部へ垂直に発生するトンネル状ピットを所望の間隔で最密配列させることが必要である。



特許文献1及び2には、ピットの分布を均一にする手段として、フォトレジストをアルミニウム箔に塗布する方法が開示されている。



特許文献3には、エッチング核を均一、且つ、高密度に形成させる方法が開示されている。この方法においては、1μm程度の大きさを有する微粒子が混入された被覆剤をアルミニウム箔の表面に塗布し、微粒子が溶解する溶液中で微粒子の溶解除去処理を行い、電解エッチング液に対して耐性を有し、且つ、エッチング核を形成すべき多数の微細孔の形成された耐性皮膜をアルミニウム箔表面に一体的に付着形成させている。
ここで、微粒子としては、金属微粒子又はカーボン微粒子などの非金属微粒子が用いられている。また、被覆剤としては、フォトマスク用レジスト剤が使用されている。



特許文献4には、アルミニウム箔の表面に、エッチング核形成用としてアルミニウムよりも貴な金属微粒子、あるいは、Al2 3 などの金属酸化物微粒子を圧延などにより埋め込む方法が開示されている。



特許文献5及び6には、理想的なピット配列を構築するための生産的な手法として、網点を有する版を用いた印刷により、エッチング耐性を有するインキあるいはエッチング誘導性を有する金属インキのパターンを、アルミニウム箔表面に形成させる方法が開示されている。



特許文献7には、アルミニウム箔の表面に、樹脂球からなる固体粒子を静電的に吸着させた後に加熱し、エッチング時のマスクとする方法が開示されている。



特許文献8には、アルミニウム表面に突起配列を有する母型を押し込むことにより物理的にくぼみの配列を形成し、各くぼみを電解エッチング時のピット形成点とする手法が開示されている。この手法により、理想的なピットの配列が実現されている。



【特許文献1】
特開昭61-51817号公報
【特許文献2】
特開昭63-34919号公報
【特許文献3】
特開昭61-51818号公報
【特許文献4】
特開昭63-124406号公報
【特許文献5】
特開昭63-62888号公報
【特許文献6】
特開昭63-62890号公報
【特許文献7】
特開平8-138977号公報
【特許文献8】
特開平11-074162号公報

産業上の利用分野


本発明は、電解コンデンサ用電極などに利用可能な、とくに拡面処理された箔及びその製造方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
インクに箔のエッチングを促進させる成分を含有させる工程と
次に、上記インクに含有されている成分により上記パターンの下部の上記箔を促進してエッチングする工程と、を備え、
上記箔にピットを形成することにより、上記箔に拡面処理を施すことを特徴とする、拡面処理された箔の製造方法。

【請求項2】
前記成分は、前記箔又は前記箔の酸化膜を溶解するアルカリ又は酸であることを特徴とする、請求項1に記載の拡面処理された箔の製造方法。

【請求項3】
前記成分は、前記箔よりも電気化学的に貴な、金属のコロイド又はイオンであることを特徴とする、請求項1に記載の拡面処理された箔の製造方法。

【請求項4】
前記成分は、前記箔を化学的に不安定にする基により改質された樹脂または該樹脂のエマルジョンであることを特徴とする、請求項1に記載の拡面処理された箔の製造方法。

【請求項5】
前記箔は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなることを特徴とする、請求項1に記載の拡面処理された箔の製造方法。

【請求項6】
前記エッチングは、電解エッチングであることを特徴とする、請求項1に記載の拡面処理された箔の製造方法。

【請求項7】
前記箔に形成されるピットが、さらに、前記箔の裏面に形成されていることを特徴とする、請求項1に記載の拡面処理された箔の製造方法。

【請求項8】
前記箔に形成されるピットが、前記箔の表面及び裏面に点状に配列されていることを特徴とする、請求項1に記載の拡面処理された箔の製造方法。

【請求項9】
請求項1~8の何れかに記載の箔の製造方法によって製造したことを特徴とする、拡面処理された箔。

【請求項10】
前記箔が、電解コンデンサ用電極箔であることを特徴とする、請求項9に記載の拡面処理された箔。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2004317216thum.jpg
出願権利状態 登録
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST エネルギーの高度利用に向けたナノ構造材料・システムの創製 領域
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