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広域エネルギーレンジ放射線検出器 コモンズ 外国出願あり

国内特許コード P06A008801
整理番号 ShIP‐P04036
掲載日 2006年6月2日
出願番号 特願2003-418086
公開番号 特開2005-183454
登録番号 特許第4200213号
出願日 平成15年12月16日(2003.12.16)
公開日 平成17年7月7日(2005.7.7)
登録日 平成20年10月17日(2008.10.17)
発明者
  • 畑中 義式
  • 青木 徹
出願人
  • 国立大学法人静岡大学
発明の名称 広域エネルギーレンジ放射線検出器 コモンズ 外国出願あり
発明の概要 【課題】従来、軟X線及び硬X線の双方に対して良好な感度を得ることは困難であった。
【解決手段】検出素子をSiとCdTeとのタンデム構造とする。また、Si基板3とCdTe基板4との間にIn(インジウム)を間挿して、一体化を図ることにより強度を高めるとともに、Si基板3により軟X線を検出し、CdTe基板4により硬X線を検出する。また、CdTe基板4側に分離帯14を設けることにより、電気的に各検出素子が分離でき、2次元画像センサとなり得る。
【選択図】 図4
従来技術、競合技術の概要


これまで、軟X線に対してはSi(シリコン)、硬X線に対してはCdTe(カドミウム・テルル)を主材料とする半導体素子により、検出素子を構成していた(特許文献1参照)。
しかしながら、軟X線及び硬X線の双方に対して良好な感度を得ることは困難であった。
一方で、CdTeは結晶の機械的強度が弱いため、微細なチップに加工し平面上に2次元に配列することが困難である。そのため、図6に示されるようにSi基板3上に接着層5を介してCdTe基板4を固定し、機械的強度を保ったうえで切断加工を行っていた。この技術においては、切断後の加工に際し接着層が障害となり、接着層を除去するなどの手間がかかっていた。このため製造段階で工程が複雑になり、コスト面での不利な状況が存在した。
【特許文献1】
特表平10-512398号

産業上の利用分野


この技術は、X線のような高エネルギーの電磁波を検出する半導体素子に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
CdTe基板、Inの拡散によりn型となったn型CdTe層、In層、Inの拡散によりp型となったp型Si層、Si基板をこの順に有し、
前記CdTe基板におけるIn層と反対側の外面から、前記Si基板の一部にかけて分離帯が設けられ、
前記Si基板側は機械的に結合された状態で共通端子に接続され、
前記分離帯によって複数の検出素子に分離された前記CdTe基板側は個々の信号端子に接続されて、1次元あるいは2次元センサーとして配列されてなる、
広域エネルギーレンジ放射線検出器。

【請求項2】
前記CdTeに替えて、CdZnTeとする請求項1に記載の広域エネルギーレンジ放射線検出器。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2003418086thum.jpg
出願権利状態 登録
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