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NOT回路及びそれを用いた電子回路

国内特許コード P06A009013
整理番号 A041P84
掲載日 2006年6月16日
出願番号 特願2001-138103
公開番号 特開2002-334989
登録番号 特許第4097912号
出願日 平成13年5月9日(2001.5.9)
公開日 平成14年11月22日(2002.11.22)
登録日 平成20年3月21日(2008.3.21)
発明者
  • 青野 正和
  • 長谷川 剛
  • 寺部 一弥
  • 中山 知信
出願人
  • 国立研究開発法人科学技術振興機構
  • 独立行政法人理化学研究所
発明の名称 NOT回路及びそれを用いた電子回路
発明の概要 【課題】 nmサイズの電子素子を用いたNOT回路及びそれを用いた電子回路を提供する。
【解決手段】 2端子素子からなるアトミックスイッチであるイオン伝導性および電子伝導性を有する混合導電体材料から成る第1電極2及び導電性材料から成る第2電極3により構成され、前記電極2,3間のコンダクタンスが制御可能な素子を用いてNOT回路を構成する。
従来技術、競合技術の概要


従来、2端子素子であるダイオードを用いてAND回路およびOR回路を構成できることが知られている。



一方、ダイオードだけでは、NOT回路を構成できないことも広く知られている。すなわち、従来の2端子素子を用いるだけでは、NOT回路を構成することができなかった。このため、NOT回路を構成するためには、3端子素子であるトランジスタなどを用いる必要があった。



全ての論理回路は、AND回路、OR回路及びNOT回路の組み合わせで構成することができる。すなわち、任意の論理回路を構成するためには、3端子回路が不可欠であった。これらは、例えば、(1)入門エレクトロニクス講座(日刊工業新聞社)、ディジタル回路編、第2巻、第1頁から第7頁に詳しく記載されている。



また、シリコンデバイスの集積化が限界に近づきつつある現在、分子デバイスなど、nm(ナノメートル)サイズの新しいデバイスの開発が進められている。例えば、(2)ネーチャー第393巻第49頁から第50頁(1998年)〔Nature,393(1998)pp49-50〕に、カーボンナノチューブを用いたトランジスタの実験結果が報告されている。

産業上の利用分野


本発明は、2端子素子のみで構成されたことを特徴とするNOT回路に係り、特に、対向する電極間においてポイントコンタクトを形成し、又は切断してコンダクタンスを制御する電子素子(以下に後述するアトミックスイッチ)を用いたNOT回路及びそれを用いた電子回路に関するものである。

特許請求の範囲 【請求項1】
2端子素子からなるアトミックスイッチを用いて構成されることを特徴とするNOT回路。

【請求項2】
請求項記載のNOT回路において、前記アトミックスイッチは、イオン伝導性および電子伝導性を有する混合導電体材料から成る第1電極導電性材料から成る第2電極により構成され、前記第1電極と第2電極間に前記混合導電体材料内の可動イオンから成る架橋の形成または消滅によりコンダクタンスが制御可能な素子からなることを特徴とするNOT回路。

【請求項3】
請求項記載のNOT回路において、前記混合導電体材料がAg2 S,Ag2 Se,Cu2 S又はCu2 Seであることを特徴とするNOT回路。

【請求項4】
請求項又は記載のNOT回路において、前記アトミックスイッチに加え、いずれも2端子素子である、抵抗体、コンデンサーを用いて構成することを特徴とするNOT回路。

【請求項5】
請求項記載のNOT回路において、前記抵抗体、コンデンサーに加え、ダイオードを用いて構成することを特徴とするNOT回路。

【請求項6】
請求項記載のNOT回路において、前記コンデンサーを介して前記アトミックスイッチに印加する電圧を制御することにより、前記アトミックスイッチのコンダクタンスを制御することを特徴とするNOT回路。

【請求項7】
請求項からのいずれか1項記載のNOT回路と、前記アトミックスイッチを用いたAND回路およびOR回路を組み合わせて構成することを特徴とする電子回路。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2001138103thum.jpg
出願権利状態 登録
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST 量子効果等の物理現象 領域
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