TOP > 国内特許検索 > ダイヤモンド半導体の電気伝導性変換方法

ダイヤモンド半導体の電気伝導性変換方法

国内特許コード P06A009081
整理番号 A241P12
掲載日 2006年6月16日
出願番号 特願2003-109574
公開番号 特開2004-319649
登録番号 特許第4439197号
出願日 平成15年4月14日(2003.4.14)
公開日 平成16年11月11日(2004.11.11)
登録日 平成22年1月15日(2010.1.15)
発明者
  • 長谷川 雅考
  • 李 成奇
  • 大串 秀世
出願人
  • 科学技術振興機構
  • 産業技術総合研究所
発明の名称 ダイヤモンド半導体の電気伝導性変換方法
発明の概要 【課題】低抵抗のn型電気伝導性を有するn型ダイヤモンド半導体および容易に必要な電気伝導性を有するダイヤモンド半導体を得ることのできる、ダイヤモンド半導体の電気伝導性変換方法を提供する。
【解決手段】炭素源からのCVD法により形成されたp型ダイヤモンド薄膜を不活性ガスに曝すことでn型ダイヤモンド半導体に変換する。
【選択図】 図1
産業上の利用分野 この出願の発明は、n型ダイヤモンド半導体とダイヤモンド半導体の電気伝導性変換方法ならびに電子デバイスに関するものである。さらに詳しくは、この出願の発明は、低抵抗のn型ダイヤモンド半導体および容易にp型またはn型のいずれかの必要な電気伝導性を有するダイヤモンド半導体を得ることのできる、ダイヤモンド半導体の電気伝導性変換方法ならびに電子デバイスに関するものである。
特許請求の範囲 【請求項1】 p型ダイヤモンド半導体を不活性ガスに曝すことでn型ダイヤモンド半導体に変換することを特徴とするダイヤモンド半導体の電気伝導性変換方法。
【請求項2】 p型ダイヤモンド半導体が、炭素源からのCVD法により形成されていることを特徴とする請求項1記載のダイヤモンド半導体の電気伝導性変換方法。
【請求項3】 不活性ガスとして、ヘリウムを用いることを特徴とする請求項1または2記載のダイヤモンド半導体の電気伝導性変換方法。
【請求項4】 請求項1ないし3いずれかに記載のダイヤモンド半導体の電気伝導性変換方法により得られたn型ダイヤモンド半導体を空気に曝してp型ダイヤモンド半導体に変換することを特徴とするダイヤモンド半導体の電気伝導性変換方法。
産業区分
  • 固体素子
  • 無機化合物
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

25316_01SUM.gif
出願権利状態 権利存続中
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST 新しい物理現象や動作原理に基づくナノデバイス・システムの創製 領域
ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、問合せボタンを押してください。


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close