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縮環ポリチオフェン-S,S-ジオキシド及びその製造方法 コモンズ

国内特許コード P06P003755
整理番号 NU-0042
掲載日 2006年9月29日
出願番号 特願2005-067756
公開番号 特開2006-248983
登録番号 特許第4139903号
出願日 平成17年3月10日(2005.3.10)
公開日 平成18年9月21日(2006.9.21)
登録日 平成20年6月20日(2008.6.20)
発明者
  • 山口 茂弘
  • 岡本 敏宏
出願人
  • 学校法人名古屋大学
発明の名称 縮環ポリチオフェン-S,S-ジオキシド及びその製造方法 コモンズ
発明の概要

【課題】 高い電子受容能を持つと共に高平面性のπ共役骨格を持つ縮環ポリチオフェン-S,S-ジオキシドを提供する。
【解決手段】 本発明の縮環ポリチオフェン-S,S-ジオキシドは、式(1a)又は(1b)で表される縮環ポリチオフェンに含まれる少なくとも1つの硫黄がジオキシドに酸化されているものである。ここで、式(1a)及び式(1b)において、Rは水素、トリアルキルシリル基、炭素数1~18のアルキル基,炭素数1~18のアルキル基であって全部又は一部の水素がフッ素に置換されたフルオロアルキル基などから選ばれた1種であり、nは整数である。

【選択図】なし

従来技術、競合技術の概要


有機薄膜トランジスタ(FET)や有機電界発光素子(EL素子)などの有機エレクトロニクスの分野において、多くのp型電荷輸送特性を示す材料が知られている。一方、優れたn型電荷輸送性材料は依然限られているのが現状であり、現在、全世界をあげて新物質の探索が行われている。このような材料の分子設計では、有効な分子間相互作用を考慮した高平面性π共役骨格を持ち、且つ高い電子受容能を持つ材料をいかに作るかが重要となる。電子受容能を向上させる構造修飾としては、π共役骨格にフッ素などの電子吸引基を導入するのが一般的であったが、近年、隣り合うチオフェンに含まれる炭素同士を結合した鎖状のオリゴチオフェンでは、いくつかのチオフェン骨格を部分的にチオフェンジオキシドに変換すると電子受容能が向上することが報告されている(非特許文献1参照)。

【非特許文献1】Advanced Materials, Vol10, No.7, pp551-554(1998)

産業上の利用分野


本発明は、縮環ポリチオフェン-S,S-ジオキシド及びその製造方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
下記式で表される縮環ポリチオフェン-S,S-ジオキシド。
【化学式1】


上記式において、Rは水素、トリアルキルシリル基、炭素数1~18のアルキル基、炭素数1~18のアルキル基であって全部又は一部の水素がフッ素に置換されたフルオロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリル基、アミノ基、N-アルキルアミド基、アルカンカルボキサミド基、アゾ基、カルボキシル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ホルミル基、ニトロ基、シアノ基、ボリル基、ホスフィノ基、シリルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、ハロゲン原子、アリール基、オリゴアリール基、1価の複素環基、または1価のオリゴ複素環基である)

【請求項2】
下記式で表される縮環ポリチオフェンを過酸化物と反応させることにより請求項1に記載の縮環ポリチオフェン-S,S-ジオキシドに酸化する、縮環ポリチオフェン-S,S-ジオキシドの製造方法。
【化学式2】


上記式において、Rは水素、トリアルキルシリル基、炭素数1~18のアルキル基、又は炭素数1~18のアルキル基であって全部又は一部の水素がフッ素に置換されたフルオロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリル基、アミノ基、N-アルキルアミド基、アルカンカルボキサミド基、アゾ基、カルボキシル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ホルミル基、ニトロ基、シアノ基、ボリル基、ホスフィノ基、シリルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、またはハロゲン原子、アリール基、オリゴアリール基、1価の複素環基、または1価のオリゴ複素環基である)
産業区分
  • 有機化合物
  • 高分子化合物
国際特許分類(IPC)
Fターム
出願権利状態 権利存続中
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