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二ホウ化マグネシウムの製造方法

国内特許コード P06A009412
整理番号 IP16-063
掲載日 2006年11月2日
出願番号 特願2005-087027
公開番号 特開2006-265049
登録番号 特許第4752049号
出願日 平成17年3月24日(2005.3.24)
公開日 平成18年10月5日(2006.10.5)
登録日 平成23年6月3日(2011.6.3)
発明者
  • 櫻井 浩
  • 尾池 弘美
  • 高野 勝昌
  • 細谷 拓己
  • 工藤 広史
  • 佐々木 淳之
出願人
  • 学校法人群馬大学
発明の名称 二ホウ化マグネシウムの製造方法
発明の概要

【課題】 低温で二ホウ化マグネシウムを形成することにより、微細加工を安定して行うことを可能にする二ホウ化マグネシウムの製造方法を提供する。
【解決手段】 マグネシウムの蒸着源と、ホウ素の蒸着源と、基板11とを反応室2内に配置し、反応室2内で、マグネシウムとホウ素とを同時に蒸着することにより、基板11上に二ホウ化マグネシウムを形成する。そして、この二ホウ化マグネシウムを形成する際の基板温度を100℃以下とし、マグネシウムの蒸着量とホウ素の蒸着量との比を、1.0~9.0の範囲内とする。
【選択図】 図1

従来技術、競合技術の概要


二ホウ化マグネシウム(MgB)は、2000年にAkimitsuらによって初めて超伝導となることが報告された物質であり(非特許文献1参照)、金属系の超伝導材料としては、最高の超伝導転移温度Tc=39Kを有する。



二ホウ化マグネシウムの合成方法としては、従来から、600℃以上の高温熱処理を行って結晶化させる方法が行われていた。



しかし、このような高温で合成を行うと、マグネシウムが酸素等と反応し易いため、マグネシウムが酸化してしまうことがある。また、酸化させることによって、二ホウ化マグネシウムの構造が変化してしまうという問題を生じる。



そこで、二ホウ化マグネシウムの薄膜を比較的低い温度で合成する方法として、高真空中でMgとBとを同時に蒸発させ、温度300℃以下の基板上で合成する方法が報告されている(例えば、非特許文献2参照。)。




【非特許文献1】J.Nagamatsu et al.,Neture vol.410,2001,p.63

【非特許文献2】固体物理Vol.40,No.1,2005,p.51~67

産業上の利用分野


本発明は、二ホウ化マグネシウム(MgB)の製造方法に係わり、特に薄膜状態の二ホウ化マグネシウムを製造する際に好適なものである。

特許請求の範囲 【請求項1】
マグネシウムの蒸着源と、ホウ素の蒸着源と、基板とを反応室内に配置し、
前記反応室内で、マグネシウムとホウ素とを同時に蒸着することにより、前記基板上に二ホウ化マグネシウムを形成する方法であって、
前記二ホウ化マグネシウムを形成する際の前記基板の温度を100℃以下とし、
マグネシウムの蒸着量を0.126~0.9Å/sの範囲内とし、ホウ素の蒸着量を0.0563~0.275Å/sの範囲内とし、マグネシウムの蒸着量とホウ素の蒸着量との比を、1.0~9.0の範囲内とする
ことを特徴とする二ホウ化マグネシウムの製造方法。

【請求項2】
前記二ホウ化マグネシウムを形成する際の前記基板の温度を100℃とし、マグネシウムの蒸着量を0.126~0.9Å/sの範囲内とし、ホウ素の蒸着量を0.1064~0.275Å/sの範囲内とし、マグネシウムの蒸着量とホウ素の蒸着量との比を、1.0~4.10の範囲内とすることを特徴とする請求項1に記載の二ホウ化マグネシウムの製造方法。
産業区分
  • 無機化合物
  • 電線ケーブル
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2005087027thum.jpg
出願権利状態 権利存続中
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