TOP > 国内特許検索 > 基板加熱搬送プロセス処理装置

基板加熱搬送プロセス処理装置 実績あり

国内特許コード P000000093
整理番号 A051P54
掲載日 2001年11月26日
出願番号 特願平10-258968
公開番号 特開2000-091232
登録番号 特許第3192404号
出願日 平成10年9月11日(1998.9.11)
公開日 平成12年3月31日(2000.3.31)
登録日 平成13年5月25日(2001.5.25)
発明者
  • 鯉沼 秀臣
  • 川崎 雅司
出願人
  • 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 基板加熱搬送プロセス処理装置 実績あり
発明の概要 【課題】 ウエハーを加熱したまま搬送することができるとともに、各プロセス処理室と組み合わされて形成した真空室を独立して圧力制御及び温度制御するための基板加熱搬送プロセス処理装置を提供する。
【解決手段】 基板加熱部36は、フランジ31,33を両端に有する円筒状のハウジング35と、このハウジングの中心線上に設けたランプホルダー82と、ランプホルダー82に設置したランプヒーター8とを有し、基板ホルダーを回転させる基板回転機構を備えている。基板加熱部36は公転移動シャフト43によって回転搬送及び上下方向に移動する搬送プレート38にハウジング35のフランジ部31で真空シールドされ、かつ、保持されている。公転移動シャフト43は共通室22を真空シールドしたまま回転機構60により回転し、移動機構70により上下方向に移動するようになっている。
従来技術、競合技術の概要



従来の薄膜製造装置では、複数のプロセスを処理する場合、異なるプロセスを処理する装置間を人間やロボットがウエハーを搬送し、逐次的に圧力や温度のプロセスパラメーターを設定してプロセス処理を行っていた。特にウエハーに清浄な表面が要請される場合には、プロセス装置間を清浄空間で密閉した搬送路でウエハー搬送を行わなければならなかった。

産業上の利用分野



この発明は、薄膜形成装置の基板搬送に利用し、基板を加熱したまま搬送し、各プロセス処理室とともに独立して真空室を形成して圧力制御及び温度制御をするための基板加熱搬送プロセス処理装置に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
圧力制御可能な共通室と、隔壁の複数の開口部を介して上記共通室と連結した複数の圧力制御可能なプロセス処理室とを具備し、上記共通室内に、基板を保持し加熱する基板加熱部とこの基板加熱部を複数配設した搬送プレートとを備え、上記搬送プレートで上記複数の基板加熱部を搬送して該基板加熱部を上記隔壁の複数の開口部に当接することにより、複数のプロセス処理室を真空シールドし、これにより上記基板加熱部と上記プロセス処理室とで独立して圧力制御可能なプロセス処理装置において、
上記基板加熱部が、加熱手段と、この加熱手段で加熱する基板を保持する基板ホルダーと、この加熱手段と基板ホルダーとを一体として自転させる基板回転機構とを有しており、
上記加熱手段にて基板を加熱しながら上記搬送プレートを回転させて、上記基板ホルダーを上記複数のプロセス処理室に搬送し、該複数のプロセス処理室内で上記基板を加熱及び自転させることを特徴とする、基板加熱搬送プロセス処理装置。

【請求項2】
前記基板加熱部の加熱手段を、ランプヒーターと、このランプヒーターに設けた水冷配管とから構成し、上記ランプヒーターの焦点位置に前記基板ホルダーを配置し、温度制御性と安全性を高めたことを特徴とする、請求項1に記載の基板加熱搬送プロセス処理装置。

【請求項3】
前記基板回転機構を、前記基板加熱部の中心線を軸として回転させるギア及びシャフト機構と、前記搬送プレートを回転させる駆動力と同一の駆動力に基づいて回転させるギア及びシャフト機構とから構成し、上記複数の基板ホルダーの自転と加熱を両立したことを特徴とする、請求項1に記載の基板加熱搬送プロセス処理装置。

【請求項4】
前記基板回転機構がチャッカーを有し、このチャッカーによって基板ホルダーを保持するとともに、基板加熱部の中心線を軸として回転することを特徴とする、請求項1又はに記載の基板加熱搬送プロセス処理装置。

【請求項5】
前記共通室に、基板ホルダーロードロック室と、この基板ホルダーロードロック室内に複数の基板ホルダーを装填するストッカーと、上記基板ホルダーロードロック室を高真空に保持したまま該基板ホルダーを搬送するクリップとを備え、
上記共通室の真空を保持したまま、上記クリップにより前記基板加熱部に保持した基板ホルダーを上記基板ホルダーロードロック室に搬送して上記ストッカーに収納し、上記ストッカーにあらかじめ装填した他の基板ホルダーを、上記基板加熱部に搬送して装着することを特徴とする、請求項1に記載の基板加熱搬送プロセス処理装置。

【請求項6】
前記基板ホルダーは、内部に凹部を有する円板状であって、かつ、この基板ホルダーの周縁に、この基板ホルダーを前記基板加熱部に係止するための溝を有していることを特徴とする、請求項1に記載の基板加熱搬送プロセス処理装置。

【請求項7】
前記基板ホルダーが、前記保持した基板の周辺にスリット状の孔を有している基板ホルダーであることを特徴とする、請求項1に記載の基板加熱搬送プロセス処理装置。

【請求項8】
前記基板ホルダーが、ホルダーリングとホルダープレートから成り、このホルダーリングは、内側に段差部を形成したリング状であって、かつ、この外周縁に、このホルダーリングを前記基板加熱部に係止するための溝を有しており、このホルダープレートは、円板状であって、かつ、前記加熱手段に面した側の表面に熱吸収効率の高い物質を有し、このホルダープレートが前記基板を一以上保持して、上記ホルダーリングの上記段差部で支持されることを特徴とする、請求項1に記載の基板加熱搬送プロセス処理装置。

【請求項9】
前記ホルダープレートの加熱手段に面した側の表面に形成する前記熱吸収効率の高い物質がインコネルであって、この表面を高温酸化したことを特徴とする、請求項8に記載の基板加熱搬送プロセス処理装置。

【請求項10】
前記ホルダープレートを前記ランプヒーターの焦点位置に配置していることを特徴とする、求項8又は9に記載の基板加熱搬送プロセス処理装置。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

※ 画像をクリックすると拡大します。

JP1998258968thum.jpg
出願権利状態 登録
ライセンス状況 通常実施権[C02-03]
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST 単一分子・原子レベルの反応制御 領域
ライセンスをご希望の方、特許の内容に興味を持たれた方は、問合せボタンを押してください。


PAGE TOP

close
close
close
close
close
close
close