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同軸型真空加熱装置 実績あり

国内特許コード P000000095
整理番号 A051P55
掲載日 2001年11月26日
出願番号 特願平10-258970
公開番号 特開2000-087237
登録番号 特許第3028129号
出願日 平成10年9月11日(1998.9.11)
公開日 平成12年3月28日(2000.3.28)
登録日 平成12年2月4日(2000.2.4)
発明者
  • 鯉沼 秀臣
  • 川崎 雅司
出願人
  • 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 同軸型真空加熱装置 実績あり
発明の概要 【課題】 搬送系に配設する電気配線及び水冷配管等がねじれないようにして基板又はウエハーの加熱温度を維持したままを搬送することのできる同軸型真空加熱装置を提供する。
【解決手段】 同軸型真空加熱装置20は円柱状の共通室22内で、成長室24、アニール室26及び余熱加熱室28に基板加熱部36を公転移動シャフト43に設けた搬送プレート38で搬送してロックすることにより、これらの各室が真空シールドされ、独立して高真空に排気可能な真空チャンバーとなっている。公転移動シャフト43は同軸水冷配管200を有し、上端部にはスリップリング301で真空シールド用に密閉されており、公転移動シャフト側に固定されているスリップリング301の接続部に公転移動シャフトの内側を這ってきた電気配線を接続している。
従来技術、競合技術の概要


従来の真空装置内で回転中の加熱された基板又はウエハーを移動する基板加熱装置は、基板加熱装置への電力供給、温度モニターの信号伝送及び冷却水などの供給ラインが真空外とのフィールドスルーから基板加熱装置へ直接配線又は配管されることにより供給されていた。

産業上の利用分野


この発明は、薄膜形成装置の搬送系に配設する電気配線及び水冷配管等がねじれないようにして基板又はウエハーの加熱温度を維持したまま搬送するための同軸型真空加熱装置に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
圧力制御可能な共通室と、この共通室の真空を保持したまま回転及び上下移動をするとともに共通室外部の電気配線及び水道配管と連結した円筒状の公転移動シャフトと、この公転移動シャフトの回転軸と同一軸で固定した搬送プレートと、この搬送プレートの回転軸を中心とする位置に配設した一以上の基板加熱部と、これらの基板加熱部に対応して上記共通室と隔壁の開口部を介して設けた一以上の圧力制御可能なプロセス処理室とを備え、
上記基板加熱部が、水冷のために配設した水冷配管を有する加熱手段と、この加熱手段で加熱する基板を保持した基板ホルダーとを有している、同軸型真空加熱装置。

【請求項2】
前記公転移動シャフトが、この上端を真空シールして前記電気配線と接続するスリップリングと、前記水道配管と連結した水冷シールユニットと、この水冷シールユニットと水密的に連結して摺動する同軸水冷配管とを有することを特徴とする、請求項1に記載の同軸型真空加熱装置。

【請求項3】
前記基板加熱部が、基板温度を維持しまま、前記搬送プレートにより前記隔壁の開口部に向けて回転し下降し、該基板加熱部が該開口部に当接し真空シールして、上記基板加熱部と前記プロセス処理室とで独立して圧力制御可能な真空チャンバーを形成するようにしたことを特徴とする、請求項1に記載の同軸型真空加熱装置。

【請求項4】
前記同軸水冷配管が前記公転移動シャフトと同軸に設けた内側水冷配管と外側水冷配管とで一水道路を形成したことを特徴とする、請求項2に記載の同軸型真空加熱装置。

【請求項5】
前記基板加熱部が前記基板ホルダーを回転させる基板回転機構を備えることを特徴とする、請求項1又は3に記載の同軸型真空加熱装置。

【請求項6】
前記基板加熱部が基板回転機構を有しており、この基板回転機構の回転と前記搬送プレートの回転とが同一の駆動力に基づいて回転することを特徴とする、請求項1、3又は5に記載の同軸型真空加熱装置。

【請求項7】
前記基板加熱部が基板回転機構を有しており、この基板回転機構により前記真空チャンバー内で前記基板ホルダーが回転することを特徴とする、請求項1、3、5又は6に記載の同軸型真空加熱装置。

【請求項8】
前記プロセス処理室が、前記基板ホルダーに保持した基板をアニールするためのアニール室、前記基板ホルダーに保持した基板を高真空かつ所定温度で加熱しておく余熱加熱室、前記基板ホルダーに保持した基板に薄膜を形成する成長室及び前記基板ホルダーに保持した基板に薄膜成長後エッチング処理をするためのエッチング室であることを特徴とする、請求項1又は3に記載の同軸型真空加熱装置。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP1998258970thum.jpg
出願権利状態 登録
ライセンス状況 通常実施権[C02-03]
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST 単一分子・原子レベルの反応制御 領域
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