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原子レベルで平坦な金薄膜作製法 新技術説明会

国内特許コード P07A010662
掲載日 2007年10月4日
出願番号 特願2002-313636
公開番号 特開2004-149818
登録番号 特許第4195928号
出願日 平成14年10月29日(2002.10.29)
公開日 平成16年5月27日(2004.5.27)
登録日 平成20年10月10日(2008.10.10)
発明者
  • 肥後 盛秀
出願人
  • 国立大学法人 鹿児島大学
発明の名称 原子レベルで平坦な金薄膜作製法 新技術説明会
発明の概要

【課題】本発明は、操作の簡単な真空蒸着法を用いて、雲母基板上に原子レベルで平坦な金薄膜を作製する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】真空蒸着法において、雲母基板の前処理方法および蒸着の際の真空度、蒸着温度、蒸着速度、膜厚等の条件を検討することにより、上記課題を解決した。すなわち、空気中で表面を劈開した8mm×12mmの雲母基板を1~8×10-6Torrの高真空中において550℃で2時間加熱処理した後、その雲母基板を1~3×10-6Torrにおいて473℃に保ち、蒸着速度2.0nm/sで膜厚150nmの金薄膜を蒸着し、作製した金薄膜が100℃よりも低い温度になるまで1~3×10-6Torrの高真空中で放冷し完成させる方法である。
【選択図】 図2

従来技術、競合技術の概要
特開平6-200376号(以下先行技術1という)に表面が平坦な金薄膜を気相成長する方法があり、「原料ガスとしてジメチルゴールドヘキサフロロアセチルアセトネートを用い、熱CVDを利用し特殊条件下で気相成長を行う。あるいは熱CVDの代わりにプラズマCVDを利用する。更に、プラズマCVD/熱CVDの組合せにより2層膜とし密着性等の向上を図る。また、原料ガスを予備加熱し、予め中間生成物を形成しこの中間生成物を高真空状態に載置された基板に噴出して基板上に金薄膜を形成するように構成する。」という記載がある。
【0003】
学術論文Langmuir、13巻、23号、6176~6182ページ、1997年(以下先行技術2という)に、高温(250~350℃)の雲母基板上にアルミニウムを真空蒸着して原子レベルで平坦な薄膜を作製する方法が記載されている。
特許請求の範囲 【請求項1】 高真空中で500~600℃の加熱による前処理を行った雲母基板上に、高真空中、蒸着温度470~476℃、蒸着速度1.8~2.2nm/s、膜厚130~170nmの条件で真空蒸着法により、原子レベルで平坦な表面を持つ金薄膜を作製することを特徴とする膜形成方法。
産業区分
  • 表面処理
  • 光学装置
  • 試験、検査
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2002313636thum.jpg
出願権利状態 権利存続中
鹿児島TLOでは鹿児島大学、鹿屋体育大学から特許に関する技術移転を受託しています。
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