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半導体装置及びその製造方法 外国出願あり

国内特許コード P07A010698
掲載日 2007年10月4日
出願番号 特願2006-044370
公開番号 特開2006-270074
登録番号 特許第5167478号
出願日 平成18年2月21日(2006.2.21)
公開日 平成18年10月5日(2006.10.5)
登録日 平成25年1月11日(2013.1.11)
優先権データ
  • 特願2005-046087 (2005.2.22) JP
発明者
  • 立野 洋人
出願人
  • 国立大学法人 鹿児島大学
発明の名称 半導体装置及びその製造方法 外国出願あり
発明の概要

【課題】高い耐熱性を得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Bイオンがドーピングされたp型のSi基板1の表面の2箇所にn型のエミッタ領域2e及びコレクタ領域2cを形成する。エミッタ領域2e及びコレクタ領域2cの形成に当たっては、二次イオン質量分析器(IMA)により加速電圧を20kV、イオン電流を10μAとして、希ガス元素のイオンであるAr+及びHe+を2時間程度、Si基板1の2箇所にイオン照射する。この結果、Si基板1の格子原子が蹴り出され、空格子が生じ、Si基板1の表面から比較的深い位置までダングリングボンドが生成される。これらのダングリングボンドが生成された領域がn型のエミッタ領域2e及びコレクタ領域2cとなる。
【選択図】図1A

従来技術、競合技術の概要


トランジスタを構成するP型半導体、N型半導体は、主に夫々IV族元素にIII価イオン、V価イオンをドープすることにより生成されている。そして、このようなトランジスタが集積回路(IC)等に使用されている。



しかしながら、ICではインプラントイオンの数が少なく、また、シリコンウェハ上に機能素子がローカルノードとして点在するため、インプラントイオンが容易に拡散しやすい。このため、十分な耐熱性及び高集積性を得ることが困難である。




【非特許文献1】D. Long: Energy Bands in Semiconductors, Interscience, New York, 1968

産業上の利用分野


本発明は、ダイオード等に好適な半導体装置及びその製造方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
p型の第1の半導体領域と、
前記第1の半導体領域と隣接し、ダングリングボンドを電子の供給源とするn型の第2の半導体領域と、
を有し、
前記第1の半導体領域及び前記第2の半導体領域はシリコン又は炭化珪素からなることを特徴とする半導体装置。

【請求項2】
前記第1の半導体領域は、シリコン又は炭化珪素にp型の不純物を導入して構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。

【請求項3】
前記第2の半導体領域との間で前記第1の半導体領域を挟み込むn型の第3の半導体領域を有し、前記第3の半導体領域はシリコン又は炭化珪素からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体装置。

【請求項4】
前記第2の半導体領域は、p型のシリコン又は炭化珪素への希ガス元素イオンの打ち込みにより形成されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。

【請求項5】
p型の第1の半導体領域内にダングリングボンドを発生させて、前記ダングリングボンドを電子の供給源とするn型の第2の半導体領域を形成する工程を有し、
前記第1の半導体領域及び前記第2の半導体領域はシリコン又は炭化珪素からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

【請求項6】
前記第2の半導体領域の形成と並行して、前記第2の半導体領域との間で前記第1の半導体領域を挟み込むn型の第3の半導体領域を形成し、前記第3の半導体領域はシリコン又は炭化珪素からなることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項7】
前記ダングリングボンドを発生させる際に、前記第1の半導体領域に対して希ガス元素イオンを打ち込むことを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体装置の製造方法。
産業区分
  • 固体素子
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2006044370thum.jpg
出願権利状態 権利存続中
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