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炭化シリコンの作製方法 コモンズ

国内特許コード P07A012457
整理番号 ID5056
掲載日 2007年12月28日
出願番号 特願2004-146779
公開番号 特開2005-325434
登録番号 特許第4411433号
出願日 平成16年5月17日(2004.5.17)
公開日 平成17年11月24日(2005.11.24)
登録日 平成21年11月27日(2009.11.27)
発明者
  • 白井 肇
出願人
  • 国立大学法人埼玉大学
発明の名称 炭化シリコンの作製方法 コモンズ
発明の概要 【課題】 高温加熱を必要とせず、高品質な炭化シリコンを作製する。
【解決手段】 少なくともメタンを含む大気圧マイクロプラズマジェットPを生成し、シリコン基材Sの主面上に照射して、シリコン基材Sの表層部分に炭化シリコンを形成する。
【選択図】 図1
従来技術、競合技術の概要


炭化シリコン結晶は、半導体シリコンの次世代半導体材料として注目されている代表的な基盤材料である。従来、前記炭化シリコン結晶は、所定のシリコン基材を準備するとともに、前記導電性基材上にメタン及び/又はプロパンなどの原料ガスを供給する熱CVD法により作製されていた。この場合、前記炭化シリコン結晶は、前記シリコン基材と前記原料ガスとの熱化学反応を通じて、前記シリコン基材の表層部分に形成されるものであるため、前記シリコン基材を1000℃以上に加熱する必要があった。



このため、特別な加熱手段が必要となるなど、前記炭化シリコン結晶を作製する際に使用する装置が複雑化し、前記シリコン基材に対する高温制御などの複雑な温度制御が必要となって、前記炭化シリコンの作製が繁雑化し、困難になるなどの諸問題が生じていた。

産業上の利用分野


本発明は、炭化シリコンの作製方法に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
気圧マイクロプラズマジェットで、シリコン基材の表層部分に炭化シリコンを形成するに際し、針状電極を用い、前記針状電極内にメタンを含有する原料ガスを導入すると共に、前記シリコン基材の温度を400℃以下として、前記針状電極の先端部より前記原料ガスを放出しつつ、前記針状電極に高周波を印加し、さらに、前記針状電極と前記シリコン基材との距離を1~4mmの範囲とすることを特徴とする、炭化シリコンの作製方法。

【請求項2】
前記シリコン基材を非加熱状態としたことを特徴とする、請求項1に記載の炭化シリコンの作製方法。

【請求項3】
前記針状電極の内径が50μm~10cmであることを特徴とする、請求項1又は2に記載の炭化シリコンの作製方法。

【請求項4】
前記原料ガスの流量が1sccm~1000sccmであることを特徴とする、請求項1~3のいずれか一に記載の炭化シリコンの作製方法。
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2004146779thum.jpg
出願権利状態 登録
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