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薄膜作製方法 新技術説明会

国内特許コード P07P004841
整理番号 E-019
掲載日 2007年12月28日
出願番号 特願2006-133269
公開番号 特開2007-302958
登録番号 特許第4843768号
出願日 平成18年5月12日(2006.5.12)
公開日 平成19年11月22日(2007.11.22)
登録日 平成23年10月21日(2011.10.21)
発明者
  • 横谷 篤至
出願人
  • 国立大学法人 宮崎大学
発明の名称 薄膜作製方法 新技術説明会
発明の概要

【課題】低温度でSiN薄膜を形成する薄膜作製方法を提供する。
【解決手段】光CVD法による薄膜作製方法において、被対象物である基板を載置した反応容器に2種類の原料ガス(シラン・NH)を導入して混合し、前記基板の温度を室温~300℃にすると共に、波長126nmの真空紫外光を照射することによってSiN薄膜を形成する。そしてSiN薄膜が形成された基板にさらに前記真空紫外光による光アニーリングを行なう。
【選択図】 図1

従来技術、競合技術の概要


SiN薄膜に代表される窒化物は硬く、化学的に極めて安定であり、これを薄膜化したものは、半導体製造における拡散防止膜(バリア層)やプラスチック材料表面への保護膜としての応用が望まれている。しかし、一般に窒化物は融点が極めて高く、また窒化物を化学合成するためには高温高圧下での反応を必要とし、従来のSiN薄膜の製造方法としては、プラズマCVD法が採用されている。



しかしながら、上記プラズマCVD法の場合、被対象物である基板を高温(300℃)の環境内に載置しておく必要があり加熱によって基板にダメージが発生する虞があった。また基板にプラズマ中の高速荷電粒子がダメージを与えるという問題点もあった。



そこで、レーザー照射手段を備え、膜形成の最終段階において、レーザーで励起可能でN源となる処理ガスを供給して、前段階の成膜工程よりもN成分の過剰な雰囲気ガスに前記レーザー照射手段からレーザー光を照射して成膜する窒素富化処理工程を備えたSiN膜の形成方法が提案されている(特許文献1参照。)。また、シランとアンモニアの混合気体に波長172nmの紫外光を照射してSiN膜を作る手法も開示されている(非特許文献1参照。)。




【特許文献1】特開平5-186871号公報

【非特許文献1】P.Bergonzo and l.W.Boyd:Appl.Phys.Lett63(1993)1757.

産業上の利用分野


本発明は、薄膜作製方法に関し、とくに真空紫外光CVDによるSiN薄膜の作製方法に関するものである。

特許請求の範囲 【請求項1】
光CVD法による薄膜作製方法において、被対象物である基板を載置した反応容器に2種類の原料ガス(シラン・NH)を導入して混合し、前記基板の温度を50~80℃にすると共に、該基板に波長126nmの真空紫外光を照射して形成したSiN薄膜に、前記波長126nmの真空紫外光をさらに照射し、光アニーリングを行なうことを特徴とする薄膜作製方法。
産業区分
  • 表面処理
  • 固体素子
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2006133269thum.jpg
出願権利状態 権利存続中


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