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pチャネル電界効果トランジスタ コモンズ

国内特許コード P07A012565
整理番号 A111P65-2
掲載日 2007年12月28日
出願番号 特願2006-339732
公開番号 特開2007-086088
登録番号 特許第4044122号
出願日 平成18年12月18日(2006.12.18)
公開日 平成19年4月5日(2007.4.5)
登録日 平成19年11月22日(2007.11.22)
発明者
  • 川原田 洋
出願人
  • 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 pチャネル電界効果トランジスタ コモンズ
発明の概要 【課題】水素と窒素の混合プラズマにより水素終端表面をアミノ化し、水素終端とアミノ終端が混在したダイヤモンド表面をチャネルとしてなるpチャネル電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】pチャネル電界効果トランジスタにおいて、液体電解質20をゲートとして使用し、水素と窒素の混合プラズマにより水素終端13表面をアミノ化し、水素終端とアミノ終端が混在したダイヤモンド表面をチャネルとする。
【選択図】図9
従来技術、競合技術の概要


従来、市販のSiMOSFETを基礎とするイオン感応性FET(ISFET)は、酸化膜や酸化膜/Si界面へのイオンの侵入による動作不良を防止するため、Si酸化膜をSi窒化膜で覆う構造となっている。このSi酸化膜を覆うSi窒化膜表面が感応部となることから、感応部が酸化膜/Si界面から離れることになり、表面の電位変化に対応する電流変化が小さく、高感度化が困難である。



これに対応するため、感応膜や保護膜としてのシリコン窒化膜やアルミナ膜の稠密性を上げ、レーザーアブレーション等を使用し、膜厚を薄くして感応性を高くする成膜技術を用いている。
【非特許文献1】
H.Kawarada,Surface Science Reports 26(1996)205
【非特許文献2】
G.W.Swain,Advanced Materials,6,(1994)388
【非特許文献3】
藤嶋 昭;化学と工業51,(1998)207

産業上の利用分野


本発明は、液体電解質をゲートとして使用し、水素終端と酸素終端あるいは水素終端とアミノ終端が混在したダイヤモンド表面をチャネルとしたpチャネル電界効果トランジスタに関するものである。

特許請求の範囲 【請求項1】
液体電解質をゲートとして使用し、水素と窒素の混合プラズマにより水素終端表面をアミノ化し、バイオセンサー機能を有する、水素終端とアミノ終端が混在したダイヤモンド表面をチャネルとしてなるpチャネル電界効果トランジスタ。

【請求項2】
請求項1記載のpチャネル電界効果トランジスタにおいて、前記アミノ終端にペプチド結合にて2価カルボン酸を作用させ、カルボキシル化を行い、さらにペプチド結合によリDNA、生体分子を固定することを特徴とするpチャネル電界効果トランジスタ。
国際特許分類(IPC)
画像

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JP2006339732thum.jpg
出願権利状態 登録
参考情報 (研究プロジェクト等) CREST 電子・光子等の機能制御 領域
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