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二次元パターニング方法ならびにそれを用いた電子デバイスの作製方法

国内特許コード P07A012592
整理番号 N081P003
掲載日 2007年12月28日
出願番号 特願2003-282196
公開番号 特開2005-051081
登録番号 特許第4405201号
出願日 平成15年7月29日(2003.7.29)
公開日 平成17年2月24日(2005.2.24)
登録日 平成21年11月13日(2009.11.13)
発明者
  • 五十嵐 慎一
  • 中村 明子
  • 北島 正弘
出願人
  • 科学技術振興機構
  • 物質・材料研究機構
発明の名称 二次元パターニング方法ならびにそれを用いた電子デバイスの作製方法
発明の概要 【目的】 感光剤やイオンミリングを使わない二次元パターニングを可能ならしめる新しい二次元パターニング方法を提供する。
【構成】 基板上に配置したブリスターを電子照射またはイオン照射により破壊することで、二次元パターンを形成する。
【選択図】図1
従来技術、競合技術の概要 【背景技術】従来、二次元パターニング技術として、リソグラフィとエッチングの組み合わせが広く知られている。リソグラフィ技術については、感光剤を塗布したのちマスクを利用して光や電子などで感光剤を露光する手法や、収束電子線により感光剤を直接露光する手法が考案されており(たとえば非特許文献1,2参照)、これらのリソグラフィ技術により形成したフォトレジストパターンをマスクとしてエッチングを施し、ウェハ表面に微細な電極や配線などの回路パターンを作製することができる。また、FIB(Focused Ion Beam:収束イオンビーム)を利用し、直接基板を微細に彫るイオンミリングと呼ばれる手法も存在する(たとえば非特許文献3,4,5参照)。
【非特許文献1】M. Rothschild and D. J. Ehrlich, J. Vac. Sci. Tech. B 6, 1 (1988)
【非特許文献2】A. Heuberger, J. Vac. Sci. Tech. B 6, 107 (1988)
【非特許文献3】R. L. Kubena et al., J. Vac. Sci. Tech. 19, 916 (1981)
【非特許文献4】T. Ishitani et al., Jpn. J. Appl. Phys. 24, L133 (1985)
【非特許文献5】P. Sudraud et al., J. Vac. Sci. Tech. B 6, 234 (1988)
産業上の利用分野 この出願の発明は、二次元パターニング方法ならびにそれを用いた電子デバイスおよび磁気デバイスの作製方法に関するものである。さらに詳しくは、この出願の発明は、微細加工技術や、電気デバイス、半導体デバイス、磁気デバイス等の作製に有用な、感光剤やイオンミリングを使わない二次元パターニングを可能ならしめる新しい二次元パターニング方法、ならびにそれを用いた新しい電子デバイスおよび磁気デバイスの作製方法に関するものである。
特許請求の範囲 【請求項1】 シリコン基板の表面に、所望の二次元パターンを形成する二次元パターニング方法であって、基板表面に所望の二次元パターンにて水素イオン、重水素イオン又はヘリウムイオンを注入して、基板内の決まった深さ範囲の、水素イオン、重水素イオン又はヘリウムイオンの注入により形成されたドーム状の膨らみであるブリスターを形成し、当該ブリスターのみを電子照射により破壊して、上記決まった深さ範囲の深さの二次元パターンを形成することを特徴とする二次元パターニング方法。
【請求項2】 ブリスターを形成した後、ブリスターが形成された基板を酸素雰囲気に曝し、表面に酸化膜を形成した後、ブリスターとその上に形成された酸化膜を電子照射により破壊し除去することで、未成膜の清浄表面の二次元パターンを形成することを特徴とする請求項1に記載の二次元パターニング方法。
【請求項3】 マスクを介してイオン照射することにより、パターン化された配置を持つブリスターを形成することを特徴とする請求項1又は2に記載の二次元パターニング方法。
【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかに記載の二次元パターニング方法を用いることを特徴とする電子デバイスの作製方法。
産業区分
  • 固体素子
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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出願権利状態 権利存続中
参考情報 (研究プロジェクト等) さきがけ 情報、バイオ、環境とナノテクノロジーの融合による革新的技術の創製 領域
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