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イオン源

国内特許コード P07A012836
整理番号 PA16-045
掲載日 2008年1月18日
出願番号 特願2004-294599
公開番号 特開2006-107974
登録番号 特許第4534055号
出願日 平成16年10月7日(2004.10.7)
公開日 平成18年4月20日(2006.4.20)
登録日 平成22年6月25日(2010.6.25)
発明者
  • 作道 訓之
出願人
  • 学校法人金沢工業大学
発明の名称 イオン源
発明の概要

【課題】ドーピング深さを広く可変する。
【解決手段】プラズマ室11と、プラズマ室11に接続する導波管21と、引出し電極31、32、33とを設け、直流アーク放電、導波管からのマイクロ波MWの一方または双方によって生成するプラズマPからのイオンをイオン引出口11bからイオンビームIb として放出させる。
【選択図】図1

従来技術、競合技術の概要


超LSIなどの半導体デバイスを量産するとき、ドーパントのドーピング深さを変えるために、単原子イオンと分子イオンとを切り換えて基板に注入することができるイオン源が提案されている(特許文献1)。



このものは、マイクロ波電力を投入して原料ガスをプラズマ化し、ドーピング用のイオンを放出するマイクロ波イオン源において、プラズマを生成するプラズマ室の容積を機械的に可変することにより、たとえばBF3 の原料ガスを使用してBF2+またはB+ を選択して放出させることができる。なお、プラズマ室の容積は、プラズマ室の相対向する2壁面を逆方向に平行移動させ、または、プラズマ室に内蔵する可動部材を平行移動または回転移動させて変化させる。

【特許文献1】特開2004-152702号公報

産業上の利用分野


この発明は、基板に対するドーパントのドーピング深さを広く可変することができるイオン源に関する。

特許請求の範囲 【請求項1】
フィラメントを組み込み、原料ガスを導入するプラズマ室と、長辺側を前記プラズマ室の軸方向にして前記プラズマ室の周側面に接続する断面長方形の導波管と、該導波管と相対向する前記プラズマ室のイオン引出口に付設する引出し電極とを備えてなり、前記プラズマ室は、直流アーク放電、前記導波管からのマイクロ波の一方または双方を選択して原料ガスをプラズマ化し、プラズマからのイオンを前記イオン引出口からイオンビームとして放出することを特徴とするイオン源。

【請求項2】
前記プラズマ室には、前記導波管からのマイクロ波に対する電子サイクロトロン共鳴磁界の数分の1の磁界を軸方向に加えることを特徴とする請求項1記載のイオン源。

【請求項3】
磁界を10~30mTに設定することを特徴とする請求項2記載のイオン源。
産業区分
  • 電子管
国際特許分類(IPC)
Fターム
画像

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JP2004294599thum.jpg
出願権利状態 権利存続中
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